[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110539222.0 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113451266A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 戴羽腾;廖韦豪;姚欣洁;田希文;吕志伟;李忠儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包含：位于基板上的第一层间电介质层。下导电导孔设置于第一层间电介质层内。多个导电线路位于第一层间电介质层上。第二层间电介质层侧向设置于导电线路之间，其中第二层间电介质层包括第一材料。侧壁间隔物结构设置于第二层间电介质层以及多个导电线路之间。侧壁间隔物结构沿着各导电线路的相对侧壁连续地延伸。侧壁间隔物结构的顶表面在多个导电线路的顶表面的垂直上方，且其中侧壁间隔物结构包括不同于第一材料的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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