[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备在审
申请号: | 202110477256.1 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113178378A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 崔咏琴;林源为 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/30;H01J37/305;H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种反应腔室及半导体工艺设备,反应腔室包括腔室本体(100)、晶圆承载台(200)和遮挡件(400);晶圆承载台(200)位于腔室本体(100)内,晶圆承载台(200)用于承载晶圆(300);遮挡件(400)位于腔室本体(100)内,遮挡件(400)能够覆盖于晶圆(300)的顶面,遮挡件(400)具有镂空区域(410),镂空区域(410)的形状与晶圆(300)的待刻蚀图形(310)的形状相匹配。上述方案能够解决晶圆的刻蚀性能较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 反应 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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