[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备

说明书

本发明公开一种反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室包括腔室本体(100)、晶圆承载台(200)和遮挡件(400)；晶圆承载台(200)位于腔室本体(100)内，晶圆承载台(200)用于承载晶圆(300)；遮挡件(400)位于腔室本体(100)内，遮挡件(400)能够覆盖于晶圆(300)的顶面，遮挡件(400)具有镂空区域(410)，镂空区域(410)的形状与晶圆(300)的待刻蚀图形(310)的形状相匹配。上述方案能够解决晶圆的刻蚀性能较差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体工艺设备。

背景技术

随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，而半导体芯片的主要制造材料就是晶圆。晶圆需要刻蚀出线路图案，通常采用半导体工艺设备对晶圆进行刻蚀。

然而，在晶圆刻蚀的过程中，容易造成等离子等对晶圆的过度刻蚀，从而使得晶圆的刻蚀形貌难以控制，进而使得晶圆的刻蚀性能较差，致使晶圆的良品率较差。

发明内容

本发明公开一种反应腔室及半导体工艺设备，以解决晶圆的刻蚀性能较差的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种反应腔室，包括：

腔室本体；

晶圆承载台，所述晶圆承载台位于所述腔室本体内，所述晶圆承载台用于承载晶圆；

遮挡件，所述遮挡件位于所述腔室本体内，所述遮挡件能够覆盖于所述晶圆的顶面，所述遮挡件具有镂空区域，所述镂空区域的形状与所述晶圆的待刻蚀图形的形状相匹配。

一种半导体工艺设备包括上述的反应腔室。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的反应腔室中，遮挡件能够覆盖晶圆的顶面，遮挡件具有镂空区域，镂空区域的形状与晶圆的待刻蚀图形的形状相匹配。此时，晶圆的待刻蚀图形通过镂空区域外露，等离子体穿过镂空区域对晶圆进行刻蚀，而晶圆上的非刻蚀区域被遮挡件遮挡。此方案中，遮挡件叠置于晶圆的顶面，遮挡件具有一定的厚度，从而增大了待刻蚀图形的深度，以增加晶圆的待刻蚀图形的深宽比，进而等效于减小了晶圆的开口率，进而防止晶圆被过度刻蚀，以提高晶圆的刻蚀性能。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的第一种反应腔室的剖视图；

图2为本发明实施例公开的第二种反应腔室的剖视图；

图3为本发明实施例公开的反应腔室中第一驱动机构驱动遮挡件抬升时的局部剖视图；

图4为本发明实施例公开的反应腔室中第一驱动机构驱动遮挡件与晶圆接触时的局部剖视图；

图5为本发明实施例公开的反应腔室中遮挡件与晶圆的剖视图；

图6为本发明实施例公开的反应腔室中遮挡件与驱动杆的局部剖视图；

图7为本发明实施例公开的反应腔室中遮挡件的剖视图；

图8为晶圆的俯视图；

图9为本发明实施例公开的反应腔室中遮挡件的俯视图。

附图标记说明：

100-腔室本体、110-观察窗、

200-晶圆承载台、210-容纳凹槽、