[发明专利]半导体结构及半导体布局结构在审
| 申请号： | 202110464090.X | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113611684A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及半导体布局结构，半导体布局结构包含基板、多个栅极结构及多个导电结构。基板包含沿第一方向延伸的多个主动区，其中多个主动区通过隔离结构彼此分隔。多个栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向构横跨多个主动区，其中每个主动区包含一对源极/漏极部分位于栅极结构的相对侧。多个导电结构嵌入在隔离结构的第一部分中，其中隔离结构设置在第一方向上相邻的多个主动区之间，多个导电结构沿第二方向延伸，并通过隔离结构与源极/漏极部分分隔。借此，本发明的半导体布局结构可以减小单位单元的尺寸，从而达到高装置密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 布局 | ||
【主权项】：
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