[发明专利]半导体结构及半导体布局结构

说明书

本发明公开了一种半导体结构及半导体布局结构，半导体布局结构包含基板、多个栅极结构及多个导电结构。基板包含沿第一方向延伸的多个主动区，其中多个主动区通过隔离结构彼此分隔。多个栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向构横跨多个主动区，其中每个主动区包含一对源极/漏极部分位于栅极结构的相对侧。多个导电结构嵌入在隔离结构的第一部分中，其中隔离结构设置在第一方向上相邻的多个主动区之间，多个导电结构沿第二方向延伸，并通过隔离结构与源极/漏极部分分隔。借此，本发明的半导体布局结构可以减小单位单元的尺寸，从而达到高装置密度。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及半导体布局结构。更具体地，本发明是有关于具有反熔丝结构的半导体结构及半导体布局结构。

背景技术

熔丝(fuse)元件常用于半导体装置中，例如半导体存储器或逻辑装置。反熔丝具有与熔丝相反的电气特性，并且可以通过将有缺陷的单元更换为冗余单元来修复有缺陷的单元。

通常，一个反熔丝需要由与其相邻的一个控制栅极来控制。因此，将一个记忆胞(unit cell)定义为1T1C，表示一个晶体管(栅极)和一个电容(反熔丝)。但是，当反熔丝数量增加时，传统的1T1C结构将占据很大的面积。为了实现高密度记忆单元或冗余，记忆胞应尽可能小。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构及半导体布局结构，可以减小单位单元的尺寸，从而达到高装置密度。

根据本发明的各种实施方式，提供一种半导体布局结构包含基板、多个栅极结构及多个导电结构。基板包含沿第一方向延伸的多个主动区，其中主动区通过隔离结构彼此分隔。栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向构横跨主动区，其中每个主动区包含一对源极/漏极部分位于栅极结构的相对侧。导电结构嵌入在隔离结构的第一部分中，其中隔离结构设置在第一方向上相邻的主动区之间，导电结构沿第二方向延伸，并通过隔离结构与源极/漏极部分分隔。

根据本发明的某些实施方式，隔离结构的第一部分包含设置在主动区之间的底部隔离结构、及设置在底部隔离结构之上，且沿第一方向延伸到隔离结构的第一部分的相对侧的主动区中的顶部隔离结构。

根据本发明的某些实施方式，导电结构具有侧壁，侧壁的一部分被顶部隔离结构覆盖。

根据本发明的某些实施方式，隔离结构的第一部分具有宽度大于导电结构在第一方向上的宽度。

根据本发明的某些实施方式，隔离结构还包含第二部分设置于第二方向上的主动区域之间。

根据本发明的某些实施方式，第一栅极结构及第二栅极结构设置在主动区上，且主动区具有共用源极/漏极部分与第一栅极结构及第二栅极结构共享。

根据本发明的某些实施方式，半导体布局结构还包含分别连接至导电结构、源极/漏极部分、及栅极结构的多个接触插塞。

根据本发明的某些实施方式，半导体布局结构还包含沿第一方向延伸，且通过接触插塞连接至栅极结构的多条连接线。

根据本发明的各种实施方式，提供一种半导体结构包含基板、第一晶体管及第二晶体管、隔离结构、以及导电结构。基板具有彼此分隔的第一主动区及第二主动区。第一晶体管及第二晶体管分别设置在第一主动区及第二主动区中。隔离结构设置在第一晶体管及第二晶体管之间，其中隔离结构具有突出部分横向地延伸至第一主动区及第二主动区中。导电结构嵌入在隔离结构中，其中导电结构与第一晶体管及第二晶体管通过隔离结构的突出部分分隔。

根据本发明的某些实施方式，导电结构具有侧壁，侧壁的一部分被隔离结构的突出部分覆盖。

根据本发明的某些实施方式，隔离结构具有宽度大于导电结构的宽度。

根据本发明的某些实施方式，第一晶体管及第二晶体管分别包含栅极结构位于基板上、以及一对源极/漏极部分位于基板中。