[发明专利]半导体结构及半导体布局结构

权利要求书

1.一种半导体布局结构，其特征在于，包含：

基板，包含沿第一方向延伸的多个主动区，其中所述多个主动区通过隔离结构彼此分隔；

多个栅极结构，沿垂直于所述第一方向的第二方向构横跨所述多个主动区，其中所述多个主动区中的每一个包含一对源极/漏极部分位于各所述栅极结构的相对侧；以及

多个导电结构，嵌入在所述隔离结构的第一部分中，其中所述隔离结构设置在所述第一方向上相邻的所述多个主动区之间，所述多个导电结构沿所述第二方向延伸，并通过所述隔离结构与所述源极/漏极部分分隔。

2.如权利要求1所述的半导体布局结构，其特征在于，所述隔离结构的所述第一部分包含：

底部隔离结构，设置在所述多个主动区之间；以及

顶部隔离结构，设置在所述底部隔离结构之上，且沿所述第一方向延伸到所述隔离结构的所述第一部分的相对侧的所述多个主动区中。

3.如权利要求2所述的半导体布局结构，其特征在于，所述多个导电结构具有侧壁，所述侧壁的一部分被所述顶部隔离结构覆盖。

4.如权利要求1所述的半导体布局结构，其特征在于，所述隔离结构的所述第一部分具有宽度大于所述多个导电结构在所述第一方向上的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体布局结构，其特征在于，所述隔离结构还包含第二部分，设置于所述第二方向上的所述多个主动区域之间。

6.如权利要求1所述的半导体布局结构，其特征在于，第一栅极结构及第二栅极结构设置在各所述主动区上，且各所述主动区具有共用源极/漏极部分与所述第一栅极结构及所述第二栅极结构共享。

7.如权利要求1所述的半导体布局结构，其特征在于，还包含分别连接至所述多个导电结构、所述一对源极/漏极部分、及所述多个栅极结构的多个接触插塞。

8.如权利要求7所述的半导体布局结构，其特征在于，还包含沿所述第一方向延伸，且通过所述多个接触插塞连接至所述栅极结构的多条连接线。

9.一半导体结构，其特征在于，包含：

基板，具有彼此分隔的第一主动区及第二主动区；

第一晶体管及第二晶体管，分别设置在所述第一主动区及所述第二主动区中；

隔离结构，设置在所述第一晶体管及所述第二晶体管之间，其中所述隔离结构具有突出部分横向地延伸至所述第一主动区及所述第二主动区中；以及

导电结构，嵌入在所述隔离结构中，其中所述导电结构与所述第一晶体管及所述第二晶体管通过所述隔离结构的所述突出部分分隔。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构具有侧壁，所述侧壁的一部分被所述隔离结构的所述突出部分覆盖。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构具有宽度大于所述导电结构的宽度。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管分别包含栅极结构位于所述基板上、及一对源极/漏极部分位于所述基板中。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述一对源极/漏极部分具有下表面位于所述导电结构的下表面下方。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的所述突出部分具有上表面与所述一对源极/漏极部分的上表面齐平。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包含多个接触插塞分别连接至所述导电结构、所述一对源极/漏极部分中远离所述导电结构的一个、以及所述栅极结构。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，还包含连接线耦接至所述栅极结构。