[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110451699.3 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN112992659B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 白龙刚;惠利省;于良成;浦栋;张松涛;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体结构加工技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。制备方法包括：提供一沉积有氮化硅层的叠层结构，在氮化硅层的上表面形成光阻层；掩模版与光阻层的上表面之间呈第一倾角设置，采用入射方向垂直于掩模版的板面的光对光阻层进行第一次曝光；掩模版与光阻层的上表面之间呈第二倾角设置，采用入射方向垂直于掩模版的板面的光对光阻层进行第二次曝光；显影以形成燕尾槽；对光阻层进行加热，使燕尾槽的开口处的光阻层软化回流，以使燕尾槽的两个槽壁形成弧形侧壁；对光阻层的顶部拐角处进行修饰，对氮化硅层进行处理，以在氮化硅层中形成具有平滑拐角的开口；并在氮化硅层的表面形成导电金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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