[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本发明涉及半导体结构加工技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。制备方法包括：提供一沉积有氮化硅层的叠层结构，在氮化硅层的上表面形成光阻层；掩模版与光阻层的上表面之间呈第一倾角设置，采用入射方向垂直于掩模版的板面的光对光阻层进行第一次曝光；掩模版与光阻层的上表面之间呈第二倾角设置，采用入射方向垂直于掩模版的板面的光对光阻层进行第二次曝光；显影以形成燕尾槽；对光阻层进行加热，使燕尾槽的开口处的光阻层软化回流，以使燕尾槽的两个槽壁形成弧形侧壁；对光阻层的顶部拐角处进行修饰，对氮化硅层进行处理，以在氮化硅层中形成具有平滑拐角的开口；并在氮化硅层的表面形成导电金属层。

技术领域

本发明涉及半导体结构加工技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

目前，在半导体器件制造过程中，涉及到在刻蚀后的氮化硅（SiNx）薄膜表面蒸镀金属层的步骤，由于刻蚀后的氮化硅表面具有台阶，且台阶处是突出的尖角结构，导致蒸镀后的金属层在台阶拐角处容易断裂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，以缓解现有技术中存在的由于刻蚀后的氮化硅表面具有台阶，且台阶处不是圆滑过渡的，导致蒸镀后的金属层在台阶处容易断裂的技术问题。

基于上述目的，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

S1. 提供一沉积有氮化硅层的叠层结构，在所述氮化硅层的上表面形成光阻层；

S2.在所述光阻层的上方形成具有开口的掩模版，所述掩模版与所述光阻层之间间隙设置，且所述掩模版与所述光阻层的上表面之间呈第一倾角设置，采用入射方向垂直于所述掩模版的板面的光对所述光阻层进行第一次曝光；

S3.所述掩模版转动至其与所述光阻层的上表面之间呈第二倾角设置的位置，所述第二倾角与所述第一倾角互补，采用入射方向垂直于所述掩模版的板面的光对所述光阻层进行第二次曝光；

S4.对曝光后的光阻层进行显影处理，以形成燕尾槽；

S5.对所述光阻层进行加热，使所述燕尾槽的开口处的所述光阻层软化回流，并填补所述燕尾槽的底部角落，以使所述燕尾槽的两个槽壁形成弧形侧壁，两个弧形侧壁的凸出方向相背；

S6.对所述光阻层的顶部拐角处进行修饰，以形成具有圆滑拐角的开口，以修饰后的所述开口作为掩模，对所述氮化硅层进行处理，以在所述氮化硅层中形成具有平滑拐角的开口；形成具有平滑拐角的开口后，去除所述光阻层；

S7.在所述氮化硅层的表面形成导电金属层。

可选地，在步骤S2中，所述第一倾角的角度大于90°且小于135°。

可选地，在步骤S5中，对所述光阻层进行烘烤，烘烤温度为110~130℃，烘烤时间为2~5min。

可选地，在步骤S6中，对所述光阻层的顶部拐角处进行等离子体轰击，射频功率为30~50W，压力为6~10mTorr，等离子体流量为15~25ccm，光阻去除速率为10~30nm/min。

可选地，在步骤S6中，对所述氮化硅层进行等离子体刻蚀，以在所述氮化硅层中形成具有平滑拐角的开口。

可选地，在步骤S7之前，还包括在所述氮化硅层的表面进行喷淋腐蚀，以形成凹坑结构的步骤；所述导电金属层形成于具有所述凹坑结构的氮化硅层的表面。

可选地，使用缓冲氧化物刻蚀液对所述氮化硅层的表面喷淋腐蚀5~10s，以形成所述凹坑结构。

可选地，所述缓冲氧化物刻蚀液中HF和NH₄F的体积比为1:6~1:10。