[发明专利]半导体存储器元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110425802.7 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113555344A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108;H01L23/64;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器元件及其制备方法。半导体存储器元件具有一基底、一绝缘组件、一栅极结构、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一位元线、一气隙、一电容栓塞以及一着陆垫；绝缘组件界定出一主动区在基底中，绝缘组件具有一第一P型离子浓度；栅极结构设置在基底中；第一掺杂区位在主动区中的栅极结构的一第一侧处；第二掺杂区位在主动区中的栅极结构的一第二侧处；位元线位在第一掺杂区上；气隙位在邻近位元线处；电容栓塞设置在第二掺杂区上，且一阻障层位在电容栓塞的一侧壁上；着陆垫位在电容栓塞的一突出部上；着陆垫包括一第一硅化物层以及一第二硅化物层，第一硅化物层设置在电容栓塞的一突出部上，第二硅化物层设置在阻障层的一侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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