[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110395832.8 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113113055A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 二山拓也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C7/12;G11C8/08;G11C8/12;G11C8/14;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/26;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一实施方式的半导体存储装置具备行解码器及存储单元阵列，所述存储单元阵列具备第1功能块。第1功能块具备：第1区域(CEL)；第2区域(WLHU)，在第1方向(Y方向)上与第1区域(CEL)相邻；及第3区域(CNCT)，连接第1区域(CEL)与第2区域(WLHU)。存储单元阵列还具备：第1绝缘层(730)，填埋第1区域(CEL)与第2区域(WLHU)之间的第1槽(DY)，且与第3区域(CNCT)相接；第1接触插塞(CP12)，设置在第1绝缘层(730)中，且与行解码器电连接；及第1配线层(IC1)，连接选择栅极线(SGD)与第1接触插塞(CP12)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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