[发明专利]三维半导体存储器件在审
| 申请号： | 202110381661.3 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113823632A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 林周永;金钟秀;文齐琡;金东佑;沈善一;赵源锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11565;H01L27/11519 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括垂直地堆叠在衬底上的电极，电极分别包括在连接区域上的垫部分，并且电极的垫部分以阶梯结构堆叠；第一垂直结构，穿透单元阵列区域上的电极结构；以及第二垂直结构，穿透连接区域上的电极结构，每个第二垂直结构包括在第一方向上彼此间隔开的第一部分以及将第一部分彼此连接的至少一个第二部分，所述至少一个第二部分分别穿透垫部分的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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