[发明专利]三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

衬底，包括单元阵列区域和连接区域；

电极结构，包括垂直地堆叠在所述衬底上的电极，所述电极包括在所述连接区域上的各个垫部分，并且所述电极的所述垫部分以阶梯结构堆叠；

第一垂直结构，穿透所述单元阵列区域上的所述电极结构；以及

第二垂直结构，穿透所述连接区域上的所述电极结构，所述第二垂直结构的每个包括：

在第一方向上彼此间隔开的第一部分；以及

在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第二部分，所述第二部分将所述第一部分彼此连接，并且所述第一方向和所述第二方向平行于所述衬底的顶表面。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，在所述第二垂直结构的每个中，所述第二部分穿透所述垫部分中的至少一个的侧壁。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，在所述第二垂直结构的每个中，所述第一部分的每个包括线区段和从所述线区段的相反端突出的多个突出区段。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，在所述第二垂直结构的每个中，所述第一部分彼此镜像对称。

5.根据权利要求1所述的器件，还包括分别联接到所述电极的所述垫部分的接触插塞，所述电极的所述垫部分沿着所述第一方向布置，并且所述第二垂直结构的每个在所述第二方向上具有第一宽度，所述第一宽度大于所述接触插塞中的对应一个的直径。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括在所述连接区域上的模制图案，所述模制图案分别在与所述电极的水平相同的水平处，并且所述模制图案被所述第二垂直结构的所述第一部分和所述第二部分围绕。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二垂直结构的顶表面在与所述第一垂直结构的顶表面的水平不同的水平处。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二垂直结构的每个包括具有侧壁和底表面的电介质柱，所述侧壁与所述电极接触，并且所述底表面与所述衬底接触。

9.根据权利要求1所述的器件，还包括分别联接到所述电极的所述垫部分的单元接触插塞，所述单元接触插塞与所述第二垂直结构的部分接触。

10.根据权利要求1所述的器件，还包括分别联接到所述电极的所述垫部分的单元接触插塞，所述电极的所述垫部分沿着所述第一方向布置，并且在所述第一方向上彼此相邻的所述第二垂直结构之间的距离小于所述单元接触插塞的每个的直径。

11.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一垂直结构的每个包括：

穿透所述电极结构的下部的下垂直结构；以及

穿透所述电极结构的上部的上垂直结构。

12.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一垂直结构的每个包括：

垂直半导体图案；以及

在所述垂直半导体图案与所述电极之间的数据存储图案。

13.根据权利要求12所述的器件，还包括在所述电极结构与所述衬底之间的源极导电图案，所述源极导电图案与所述第一垂直结构的所述垂直半导体图案的每个的至少一部分接触。

14.一种三维半导体存储器件，包括：

衬底，包括单元阵列区域和连接区域；

电极结构，包括垂直地堆叠在所述衬底上的电极，所述电极分别包括在所述连接区域上的垫部分，并且所述电极的所述垫部分以阶梯结构堆叠；

第一垂直结构，穿透所述单元阵列区域上的所述电极结构；以及

第二垂直结构，穿透所述连接区域上的所述电极结构，所述第二垂直结构的每个包括：

在第一方向上彼此间隔开的第一部分；以及

将所述第一部分彼此连接的至少一个第二部分，所述至少一个第二部分分别穿透所述垫部分的侧壁。