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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微粒收集装置-CN202310125621.1在审
发明人：金盛珍;朴天英;朴在穆;赵源锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种微粒收集装置，包括：第一收集装置，位于在第一方向上传送的衬底上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第二收集装置，在第一方向上与第一收集装置相邻，第二收集装置位于衬底上，并且在第二方向上延伸。第一收集装置收集残留在衬底上的第一微粒，且第二收集装置收集残留在衬底上的第二微粒，第二微粒包括与第一微粒的材料不同的材料。
微粒收集装置

[实用新型]微粒收集装置-CN202320226861.6有效
发明人：金盛珍;朴天英;朴在穆;赵源锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种微粒收集装置，包括：第一收集装置，位于在第一方向上传送的衬底上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第二收集装置，在第一方向上与第一收集装置相邻，第二收集装置位于衬底上，并且在第二方向上延伸。第一收集装置收集残留在衬底上的第一微粒，且第二收集装置收集残留在衬底上的第二微粒。
微粒收集装置

[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统-CN202210004686.6在审
发明人：金宽容;申盛元;李承敏;林周永;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括在基板上的第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构。沟道结构延伸穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一辅助堆叠结构包括交替堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第一模层。对准键延伸到第一辅助堆叠结构中并突出到比第一堆叠结构的最上端更高的水平。第二辅助堆叠结构设置在第一辅助堆叠结构和对准键上，并包括交替堆叠的多个第二绝缘层和多个第二模层。第二辅助堆叠结构包括与对准键对准的突起。
半导体器件以及包括电子系统

[发明专利]半导体器件及包括半导体器件的数据存储系统-CN202210123517.4在审
发明人：金钟秀;沈善一;林周永;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：图案结构上的存储单元阵列区和阶梯区；堆叠结构，包括在竖直方向上交替地堆叠的绝缘层和具有栅焊盘的栅层；分离结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；存储竖直结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；支撑竖直结构，穿透所述堆叠结构并且接触所述图案结构；栅接触插塞，设置在所述栅焊盘上；以及外围接触插塞，与所述栅层间隔开，其中，所述存储竖直结构的上表面在第一高度处，所述外围接触插塞的上表面在第二高度处，所述分离结构的上表面在第三高度处，并且所述栅接触插塞的上表面在第四高度处。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]集成电路装置及包括集成电路装置的电子系统-CN202210094232.2在审
发明人：金钟秀;林周永;沈善一;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了集成电路装置和电子系统。该集成电路装置包括：基底结构；栅极堆叠件，其位于基底结构上并且包括彼此间隔开的多个栅电极；第一上绝缘层，其位于栅极堆叠件上；多个沟道结构，其穿透栅极堆叠件，多个沟道结构中的每一个包括从栅极堆叠件突出的相应对准键；第二上绝缘层，其与多个沟道结构中的每一个的相应对准键重叠；顶部支承层，其位于第二上绝缘层上；位线，位于顶部支承层上；以及多个位线接触件，其将多个沟道结构中的相应沟道结构电连接到位线。第一上绝缘层的侧壁包括第一台阶部。
集成电路装置包括电子系统

[发明专利]半导体存储器器件和包括半导体存储器器件的电子系统-CN202111477154.6在审
发明人：黄夏敏;金钟秀;林周永;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体存储器器件，包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；堆叠结构，仅在第一衬底的第一区域和第二区域中的第一衬底的第一区域上，堆叠结构包括字线；层间绝缘膜，覆盖堆叠结构；虚设导电结构，在层间绝缘膜内部，虚设导电结构延伸穿过堆叠结构以与第一衬底接触；以及板接触插塞，在层间绝缘膜内部，板接触插塞与第一衬底的第二区域连接，并且虚设导电结构的上表面相对于第一衬底的上表面的高度大于板接触插塞的上表面相对于第一衬底的上表面的高度。
半导体存储器器件包括电子系统

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202111520524.X在审
发明人：姜恒圭;金钟秀;林周永;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括具有第一区、第二区和第三区的衬底，且栅电极在第一区和第二区中彼此间隔开。该半导体器件还包括：与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；穿过第一区中的栅电极的沟道结构；穿过第二区中的栅电极的第一虚设结构，第一虚设结构与第一区相邻设置；穿过第二区中的栅电极的第二虚设结构，第二虚设结构与第三区相邻设置并具有与第一虚设结构不同的形状；以及穿过第三区中的栅电极的支撑结构。每个第二虚设结构的尺寸大于每个支撑结构的尺寸。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202111082495.3在审
发明人： 赵源锡;李瑟妃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件和一种包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：衬底；水平导电层，设置在所述衬底上；支撑层，设置在所述水平导电层上；堆叠结构，包括在垂直于所述支撑层的上表面的方向上彼此间隔开地堆叠的多个栅电极以及与所述多个栅电极交替地堆叠的多个层间绝缘层；沟道结构，穿过所述堆叠结构；分隔结构，穿过所述水平导电层、所述支撑层和所述堆叠结构并在第一方向上延伸；以及导电图案，设置在所述水平导电层与所述多个层间绝缘层中的最下面的层间绝缘层之间的水平高度上，并且从所述分隔结构的侧表面向所述分隔结构的外部突出。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的电子系统-CN202111080395.7在审
发明人：郑周嬿;金宽容;李海旻;林周永;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：基板，其具有第一区域、第二区域和第三区域；主分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第一辅助分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；以及第二辅助分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开。第一辅助分离区域在第二方向上按第一间距位于主分离区域之间，第二辅助分离区域在第二方向上按小于第一间距的第二间距设置在主分离区域之间，并且第一辅助分离区域和第二辅助分离区域在第二方向上相对于彼此偏移。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202110881963.7在审
发明人：文齐琡;林周永;金钟秀;沈善一;李海旻;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。所述半导体器件，包括：衬底上的栅电极结构；沟道，延伸穿过栅电极结构；以及蚀刻停止层，在栅电极结构的侧壁上。栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开并且以阶梯形状堆叠的栅电极。沟道包括第一部分和与第一部分接触的第二部分。第二部分的下表面的宽度小于第一部分的上表面的宽度。蚀刻停止层接触栅电极中的至少一个栅电极，并且在水平方向上与沟道的第一部分的上部重叠。接触蚀刻停止层的至少一个栅电极是包括绝缘材料的虚设栅电极。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202110381661.3在审
发明人：林周永;金钟秀;文齐琡;金东佑;沈善一;赵源锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括垂直地堆叠在衬底上的电极，电极分别包括在连接区域上的垫部分，并且电极的垫部分以阶梯结构堆叠；第一垂直结构，穿透单元阵列区域上的电极结构；以及第二垂直结构，穿透连接区域上的电极结构，每个第二垂直结构包括在第一方向上彼此间隔开的第一部分以及将第一部分彼此连接的至少一个第二部分，所述至少一个第二部分分别穿透垫部分的侧壁。
三维半导体存储器件

[发明专利]沉积系统-CN202011014219.9在审
发明人：李镐准;金京汉;朴在穆;赵源锡;金盛珍;文柱日;朴宰完;崔烔赫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明的沉积系统包括：具有维持真空状态的操作空间的腔室；在腔室内沿第一路径循环并移送载体的第一移送装置；在腔室内沿第二路径往返并移送掩模的第二移送装置；在腔室内沿第一路径设置在沉积区域中的沉积装置；设置在腔室内的装载部；以及与第一路径和所述装载部连接的第三移送装置，载体在第一路径的基板结合站中与基板结合，并且在第一路径与第二路径交汇的掩模结合站中与掩模结合，载体在与基板及掩模结合之后经过沉积区域，并且在第一路径与第二路径交汇的掩模分离站中与掩模分离，在第一路径的基板分离站中与基板分离。
沉积系统

[发明专利]具有连接至串选择线的选择线钉柱的半导体装置-CN202011478012.7在审
发明人：柳孝俊;金宽容;姜书求;沈善一;赵源锡;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：存储器堆叠件，其设置在衬底上，并且包括下栅电极；上栅极堆叠件，其包括串选择线；竖直地延伸的存储器栅极接触件，其设置在下栅电极上；以及竖直地延伸的选择线钉柱，其设置在串选择线上。串选择线包括与下栅电极的材料不同的材料，并且选择线钉柱包括与存储器栅极接触件的材料不同的材料。
具有连接选择线钉柱半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710151188.3有效
发明人：沈善一;赵源锡;李云京 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括交替并竖直地堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第二层。所述多个第二层中的每个第二层包括通过第二绝缘层水平分离的水平电极。接触塞贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层中的第二绝缘层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基板支撑装置-CN202010322025.9在审
发明人：朴天英;金盛珍;赵源锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的一实施例的基板支撑装置包括：支撑框架，包括第一支撑部及第二支撑部，所述第二支撑部的至少一部分与所述第一支撑部相隔；销部件，用于支撑基板的下表面，并且包括与所述第一支撑部结合的多个第一支撑销及与所述第二支撑部结合的多个第二支撑销；以及驱动模块，沿所述基板的所述下表面的法线方向选择性地使所述第一支撑部及所述第二支撑部移动。因此，本发明在不更换设备的情况下能够应用到不同种类的基板上。
支撑装置

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