[发明专利]三维（3D）半导体存储器件

摘要

一种3D半导体存储器件包括：外围电路结构，包括第一行解码器区域、第二行解码器区域以及在第一行解码器区域与第二行解码器区域之间的控制电路区域；在外围电路结构上的第一电极结构和第二电极结构，在第一方向上间隔开，并且每个包括堆叠的电极；模制结构，在外围电路结构上在第一电极结构与第二电极结构之间，并包括堆叠的牺牲层；垂直沟道结构，穿透第一电极结构和第二电极结构；分隔绝缘图案，提供在第一电极结构与模制结构之间并穿透模制结构；以及分隔结构，在第一方向上与第一电极结构交叉并延伸到分隔绝缘图案，其中分隔绝缘图案在第二方向上的最大宽度大于分隔结构在第二方向上的最大宽度。