[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110275028.6 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113496996A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一内连接结构，设置在一第一半导体晶粒上。该第一半导体晶粒具有一半导体基底以及一第一导电垫，该第一导电垫设置在该半导体基底上，且该第一导电垫被该内连接结构所覆盖。该半导体元件亦具有多个介电间隙子，围绕该内连接结构设置。所述多个介电间隙子与该内连接结构之间的一界面呈弯曲状。该半导体元件还具有一介电层以及一第二半导体晶粒，该介电层围绕所述多个介电间隙子设置，该第二半导体晶粒接合到该介电层与该内连接结构。该第二半导体晶粒具有一第二导电垫，且该内连接结构被该第二导电垫所覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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