[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202110208548.5 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN114078800A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 长谷川一磨 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/50;H01L23/52;H01L23/552;H01L25/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供一种能够抑制接合焊针等连接机构与其它导线的干涉问题的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:衬底,具有第1面;第1半导体芯片,设置在第1面上,且设置着第1电极、第2电极、及第3电极;树脂,覆盖第1面与第1半导体芯片,具有与第1面对向的第2面及位于第2面的相反侧的第3面;第1导线,连接于第1电极,且述第3面露出;第2导线,连接于第2电极,且从第3面露出;第3导线,连接于第1面,且从第3面露出;以及第4导线,将第1面与第3电极连接;第3电极形成在第1电极与第2电极之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
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