[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种能够抑制接合焊针等连接机构与其它导线的干涉问题的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：衬底，具有第1面；第1半导体芯片，设置在第1面上，且设置着第1电极、第2电极、及第3电极；树脂，覆盖第1面与第1半导体芯片，具有与第1面对向的第2面及位于第2面的相反侧的第3面；第1导线，连接于第1电极，且述第3面露出；第2导线，连接于第2电极，且从第3面露出；第3导线，连接于第1面，且从第3面露出；以及第4导线，将第1面与第3电极连接；第3电极形成在第1电极与第2电极之间。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2020-137632号(申请日：2020年8月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

所揭示的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

例如，半导体装置具备积层的多个半导体芯片。通过在各半导体芯片接合导线，能够进行信息的授受。如果积层的半导体芯片数量变多，积层体就会变厚，需要与其对应高度的导线。

由于焊线机的接合焊针的前端形状为圆锥形，所以当接合时，可能产生焊针与其它导线干涉的问题。

发明内容

本发明提供一种能够抑制接合焊针等连接机构与其它导线的干涉问题的半导体装置。

本发明的半导体装置具备：衬底，具有第1面；第1半导体芯片，设置在第1面上，且设置着第1电极、第2电极、及第3电极；树脂，覆盖第1面与第1半导体芯片，具有与第1面对向的第2面及位于第2面的相反侧的第3面；第1导线，连接于第1电极，且述第3面露出；第2导线，连接于第2电极，且从第3面露出；第3导线，连接于第1面，且从第3面露出；以及第4导线，将第1面与第3电极连接；第3电极形成在第1电极与第2电极之间。

附图说明

图1A是示意性地表示第1实施方式的半导体装置10的立体图。

图1B是图1A中的区域AR的放大图。

图2A是示意性地表示半导体装置10的截面的剖视图。

图2B是示意性地表示半导体装置10的截面的剖视图。

图3A～J是表示半导体装置10的制造工序的立体图。

图4是示意性地表示第2实施方式的半导体装置10A的侧视图。

图5A是示意性地表示第3实施方式的半导体装置10B的立体图。

图5B是示意性地表示第3实施方式的半导体装置10C的立体图。

图5C是示意性地表示第4实施方式的半导体装置10D的立体图。

具体实施方式

以下，参考附图对本实施方式进行说明。为了容易理解说明，在各附图中对相同的构成要素尽可能标注相同的符号，并省略重复说明。

图1A是示意性地表示第1实施方式的半导体装置10的一部分的立体图。图1B是图1A中的区域AR的放大图。图2A是示意性地表示半导体装置10的截面的剖视图，图2B是通过形成在支撑体40的第1电极层42的开口OP的截面中的半导体装置10的示意性剖视图。