[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110208548.5 申请日: 2021-02-24
公开(公告)号: CN114078800A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 长谷川一磨 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/50;H01L23/52;H01L23/552;H01L25/18
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于具备:

衬底,具有第1面;

第1半导体芯片,设置在所述第1面,且设置着第1电极、第2电极、及第3电极;

树脂,覆盖所述第1面与所述第1半导体芯片,具有与所述第1面对向的第2面及位于所述第2面的相反侧的第3面;

第1导线,连接于所述第1电极,且从所述第3面露出;

第2导线,连接于所述第2电极,且从所述第3面露出;

第3导线,连接于所述第1面,且从所述第3面露出;以及

第4导线,将所述第1面与所述第3电极连接;

所述第3电极形成在所述第1电极与所述第2电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于具备:

第2半导体芯片,设置在所述第1半导体芯片上,且形成有第4电极;以及

第5导线,将所述第3电极与所述第4电极连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于所述衬底包含第1导电层及第2导电层,

所述第3导线连接于所述第1导电层,且

所述半导体装置具备第6导线,所述第6导线与所述第2导电层连接,且从所述第3面露出。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的介电层,

在所述第1导电层及所述介电层形成开口,

所述第6导线与所述第2导电层的从所述开口露出的部分连接。

5.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于具备设置在所述树脂的所述第2面上方的第1外部电极、第2外部电极、及第3外部电极,

所述第1导线与第1外部电极电连接,

所述第3导线与第2外部电极电连接,

所述第6导线与第3外部电极电连接。

6.一种半导体装置,其特征在于具备:

衬底,在第1面侧设置着第1导电层及与所述第1导电层绝缘的第2导电层;

第1半导体芯片,设置在所述衬底的所述第1面侧,且形成有第1电极;

树脂,覆盖所述衬底的所述第1面与所述第1半导体芯片;

第1外部电极、第2外部电极及第3外部电极,设置在所述树脂;

第1导线,将所述第1电极与所述第1外部电极连接;

第2导线,将所述第1导电层与所述第2外部电极连接;以及

第3导线,将所述第2导电层与所述第3外部电极连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于在所述第1半导体芯片设置着第2电极及第3电极;且

所述半导体装置具备:

第4导线,将所述第1导电层与所述第2电极连接;以及

第5导线,将所述第2导电层与所述第3电极连接;

所述第1电极位于所述第2电极与所述第3电极之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于具备第2半导体芯片,所述第2半导体芯片设置在所述第1半导体芯片之上,且形成有第4电极,以及

第6导线,连接所述第2电极与所述第4电极。

9.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的介电层,

在所述第1导电层及所述介电层形成开口,

所述第3导线与所述第2导电层的从所述开口露出的部分连接。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的半导体装置,其特征在于可对所述第2外部电极供给第1电压,且

可对所述第3外部电极供给与所述第1电压不同的第2电压。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于可对所述第1外部电极供给输入输出信号,

所述第1电压为驱动电压或接地电压中的一种电压,所述第2电压为所述驱动电压或所述接地电压中的另一种电压。

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