[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202110208548.5 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN114078800A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 长谷川一磨 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/50;H01L23/52;H01L23/552;H01L25/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于具备:
衬底,具有第1面;
第1半导体芯片,设置在所述第1面,且设置着第1电极、第2电极、及第3电极;
树脂,覆盖所述第1面与所述第1半导体芯片,具有与所述第1面对向的第2面及位于所述第2面的相反侧的第3面;
第1导线,连接于所述第1电极,且从所述第3面露出;
第2导线,连接于所述第2电极,且从所述第3面露出;
第3导线,连接于所述第1面,且从所述第3面露出;以及
第4导线,将所述第1面与所述第3电极连接;
所述第3电极形成在所述第1电极与所述第2电极之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于具备:
第2半导体芯片,设置在所述第1半导体芯片上,且形成有第4电极;以及
第5导线,将所述第3电极与所述第4电极连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于所述衬底包含第1导电层及第2导电层,
所述第3导线连接于所述第1导电层,且
所述半导体装置具备第6导线,所述第6导线与所述第2导电层连接,且从所述第3面露出。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的介电层,
在所述第1导电层及所述介电层形成开口,
所述第6导线与所述第2导电层的从所述开口露出的部分连接。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于具备设置在所述树脂的所述第2面上方的第1外部电极、第2外部电极、及第3外部电极,
所述第1导线与第1外部电极电连接,
所述第3导线与第2外部电极电连接,
所述第6导线与第3外部电极电连接。
6.一种半导体装置,其特征在于具备:
衬底,在第1面侧设置着第1导电层及与所述第1导电层绝缘的第2导电层;
第1半导体芯片,设置在所述衬底的所述第1面侧,且形成有第1电极;
树脂,覆盖所述衬底的所述第1面与所述第1半导体芯片;
第1外部电极、第2外部电极及第3外部电极,设置在所述树脂;
第1导线,将所述第1电极与所述第1外部电极连接;
第2导线,将所述第1导电层与所述第2外部电极连接;以及
第3导线,将所述第2导电层与所述第3外部电极连接。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于在所述第1半导体芯片设置着第2电极及第3电极;且
所述半导体装置具备:
第4导线,将所述第1导电层与所述第2电极连接;以及
第5导线,将所述第2导电层与所述第3电极连接;
所述第1电极位于所述第2电极与所述第3电极之间。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于具备第2半导体芯片,所述第2半导体芯片设置在所述第1半导体芯片之上,且形成有第4电极,以及
第6导线,连接所述第2电极与所述第4电极。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的介电层,
在所述第1导电层及所述介电层形成开口,
所述第3导线与所述第2导电层的从所述开口露出的部分连接。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的半导体装置,其特征在于可对所述第2外部电极供给第1电压,且
可对所述第3外部电极供给与所述第1电压不同的第2电压。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于可对所述第1外部电极供给输入输出信号,
所述第1电压为驱动电压或接地电压中的一种电压,所述第2电压为所述驱动电压或所述接地电压中的另一种电压。
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