[发明专利]混合导电结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110206998.0 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113517258A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张正伟;廖健顺;王菘豊;梁顺鑫;张淑兰;刘奕莹;朱家宏;张旭凯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于在钴导电结构上方制造钌导电结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成位于介电层中的第一开口，以暴露第一钴接触件；用钌金属填充第一开口，以形成位于第一钴接触件上的钌接触件。该方法还包括：形成位于介电层中的第二开口，以暴露第二钴接触件和栅极结构；用钨填充第二开口，以形成位于第二钴接触件和栅极结构上的钨接触件。另外，该方法包括：形成位于钌接触件和钨接触件上的铜导电结构，其中，来自铜导电结构的铜与来自钌接触件的钌金属接触。本申请的实施例提供了混合导电结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 导电 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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