[发明专利]混合导电结构及其形成方法

权利要求书

1.一种混合导电结构，包括：

第一栅极结构，形成在衬底上；

第二栅极结构，形成在所述衬底上；

外延结构，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；

第一导电结构，包括第一金属，并且设置在所述外延结构上；

第二导电结构，包括第二金属，并且设置在所述第一导电结构；以及

第三导电结构，包括第三金属，并且设置在所述第二栅极结构上，其中，所述第一金属、所述第二金属、和所述第三金属彼此不同。

2.根据权利要求1所述的混合导电结构，其中，所述第一金属包括钴，所述第二金属包括钌，所述第三金属包括钨。

3.根据权利要求1所述的混合导电结构，其中，所述第二导电结构和所述第三导电结构的顶面共面，并且所述第二导电结构和所述第三导电结构的底面不共面。

4.根据权利要求1所述的混合导电结构，其中，所述第二金属具有与所述第一金属的顶部接触的弓形的端部。

5.根据权利要求1所述的混合导电结构，还包括：

第三栅极结构；

另外的外延结构，位于所述第二栅极结构和所述第三栅极结构之间；

第四导电结构，包括所述第一金属，并且形成在所述另外的外延结构上；以及

第五导电结构，包括所述第三金属，并且形成在所述第四导电结构和所述第三栅极结构上。

6.根据权利要求5所述的混合导电结构，其中，所述第五导电结构的所述第三金属具有与所述第四导电结构的所述第一金属的顶部接触的弓形的端部。

7.根据权利要求5所述的混合导电结构，其中，所述第二导电结构、所述第三导电结构、和所述第五导电结构的顶面共面。

8.根据权利要求5所述的混合导电结构，还包括：

第六导电结构，设置在所述第二导电结构、所述第三导电结构、和所述第五导电结构上，其中，所述第六导电结构包括第四金属和围绕所述第四金属的阻挡层，

并且其中，所述第四金属与所述第二导电结构的所述第二金属接触，并且所述阻挡层介于所述第三导电结构的所述第四金属和所述第三金属之间、以及所述第五导电结构的所述第四金属和所述第三金属之间。

9.一种混合导电结构，包括：

衬底；

第一钴源极/漏极接触件和第二钴源极/漏极接触件，形成在所述衬底上方；

第一栅极结构和第二栅极结构，形成在所述衬底上方；

第一金属化层，形成在所述第一钴源极/漏极接触件和所述第二钴源极/漏极接触件上方、和所述第一栅极结构和所述第二栅极结构上方，其中，所述第一金属化层包括：

钌接触件，位于所述第一钴源极/漏极接触件上；

第一钨接触件，位于所述第一栅极结构上；以及

第二钨接触件，位于所述第二栅极结构和所述第二钴源极/漏极接触件上；以及

第二金属化层，形成在所述第一金属化层上，并且包括包括有铜的导电结构和围绕所述铜的阻挡层，其中，所述铜与所述钌接触件接触，并且所述阻挡层介于所述铜和所述第一钨接触件之间、以及所述铜和所述第二钨接触件之间。

10.一种形成混合导电结构的方法，包括：

沉积位于第一钴接触件、第二钴接触件、和栅极结构上方的介电层；

形成位于所述介电层中的第一开口，以暴露所述第一钴接触件；

用钌金属填充所述第一开口，以形成位于所述第一钴接触件上的钌接触件；

形成位于所述介电层中的第二开口，以暴露所述第二钴接触件和所述栅极结构；

用钨填充所述第二开口，以形成位于所述第二钴接触件和所述栅极结构上的钨接触件；

形成位于所述钌接触件和所述钨接触件上的铜导电结构，其中，来自所述铜导电结构的所述铜与来自所述钌接触件的所述钌金属接触。