[发明专利]混合导电结构及其形成方法

说明书

本发明描述了一种用于在钴导电结构上方制造钌导电结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成位于介电层中的第一开口，以暴露第一钴接触件；用钌金属填充第一开口，以形成位于第一钴接触件上的钌接触件。该方法还包括：形成位于介电层中的第二开口，以暴露第二钴接触件和栅极结构；用钨填充第二开口，以形成位于第二钴接触件和栅极结构上的钨接触件。另外，该方法包括：形成位于钌接触件和钨接触件上的铜导电结构，其中，来自铜导电结构的铜与来自钌接触件的钌金属接触。本申请的实施例提供了混合导电结构及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及混合导电结构及其形成方法。

背景技术

在集成电路中，导电结构(例如金属接触件、通孔、和导线)电连接至诸如栅极电极和源极/漏极端子的晶体管区，以从晶体管和向晶体管传播电信号。根据集成电路的复杂性，导电结构可以形成多层金属布线。

发明内容

在一些实施例中，一种结构，包括：第一栅极结构，形成在衬底上；第二栅极结构，形成在所述衬底上；外延结构，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一导电结构，包括第一金属，并且设置在所述外延结构上；第二导电结构，包括第二金属，并且设置在所述第一导电结构；以及第三导电结构，包括第三金属，并且设置在所述第二栅极结构上，其中，所述第一金属、所述第二金属、和所述第三金属彼此不同。

在一些实施例中，一种结构，包括：衬底；第一钴源极/漏极(S/D)接触件和第二钴S/D接触件，形成在所述衬底上方；第一栅极结构和第二栅极结构，形成在所述衬底上方；第一金属化层，形成在所述第一S/D接触件和所述第二S/D接触件上方、和所述第一栅极结构和所述第二栅极结构上方，其中，所述第一金属化层包括：钌接触件，位于所述第一钴S/D接触件上；第一钨接触件，位于所述第一栅极结构上；以及第二钨接触件，位于所述第二栅极结构和所述第二钴S/D接触件上；以及第二金属化层，形成在所述第一金属化层上，并且包括包括有铜的导电结构和围绕所述铜的阻挡层，其中，所述铜与所述钌接触件接触，并且所述阻挡层介于所述铜和所述第一钨接触件之间、以及所述铜和所述第二钨接触件之间。

在一些实施例中，一种方法，包括：沉积位于第一钴接触件、第二钴接触件、和栅极结构上方的介电层；形成位于所述介电层中的第一开口，以暴露所述第一钴接触件；用钌金属填充所述第一开口，以形成位于所述第一钴接触件上的钌接触件；形成位于所述介电层中的第二开口，以暴露所述第二钴接触件和所述栅极结构；用钨填充所述第二开口，以形成位于所述第二钴接触件和所述栅极结构上的钨接触件；形成位于所述钌接触件和所述钨接触件上的铜导电结构，其中，来自所述铜导电结构的所述铜与来自所述钌接触件的所述钌金属接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。

图1A-图1C是根据一些实施例的具有钌导电结构和钨导电结构的金属化层的截面图；

图1D和图1E是根据一些实施例的位于钴导电结构上的钌导电结构的俯视图；

图2A和图2B是根据一些实施例的用于形成具有钌导电结构和钨导电结构的金属化层的方法的流程图；

图3-图12是根据一些实施例的在用于形成具有钌导电结构和钨导电结构的金属化层的各种制造操作期间的中间结构的截面图；

图13是比较钌接触件和钨接触件的接触电阻的概率图。

具体实施方式