[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110204335.5 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114975441A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王连红;苏星松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有沟槽，沟槽具有第一深度；在沟槽侧壁和底面形成第一栅极氧化层，在第一栅极氧化层表面形成第一栅极导电层，第一栅极氧化层和第一栅极导电层具有第二深度，第二深度小于第一深度；在未被第一栅极氧化层覆盖的沟槽表面形成第二栅极氧化层，在垂直于沟槽侧壁的方向上，第二栅极氧化层的等效栅氧厚度大于第一栅极氧化层的等效栅氧厚度；形成第二栅极导电层，第二栅极导电层填充满第二栅极氧化层和第一栅极导电层围成的凹槽。本实施例提供的半导体结构的形成方法，有利于提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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