[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有沟槽，所述沟槽具有第一深度；

在所述沟槽侧壁和底面形成第一栅极氧化层，在所述第一栅极氧化层表面形成第一栅极导电层，所述第一栅极氧化层和所述第一栅极导电层具有第二深度，所述第二深度小于所述第一深度；

在未被所述第一栅极氧化层覆盖的所述沟槽表面形成第二栅极氧化层，在垂直于所述沟槽侧壁的方向上，所述第二栅极氧化层的等效栅氧厚度大于所述第一栅极氧化层的等效栅氧厚度；

形成第二栅极导电层，所述第二栅极导电层填充满所述第二栅极氧化层和所述第一栅极导电层围成的凹槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底内还包括掺杂区，所述掺杂区位于所述沟槽的两侧，且所述掺杂区具有第三深度，所述第二深度不小于所述第三深度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层的材料相同，在垂直于所述沟槽侧壁的方向上，所述第二栅极氧化层的厚度大于所述第一栅极氧化层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第二栅极氧化层的步骤包括：在所述第一栅极氧化层露出的所述沟槽的整个侧壁上形成初始第二栅极氧化层，去除靠近所述沟槽顶部的部分所述初始第二栅极氧化层，形成所述第二栅极氧化层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述初始第二栅极氧化层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅极氧化层和所述第二栅极导电层的步骤包括：在形成所述第一栅极导电层后，形成填充满所述沟槽的初始第二栅极导电层，去除位于所述沟槽侧壁的部分所述初始第二栅极导电层形成缝隙，在垂直于所述沟槽侧壁的方向上，剩余的所述初始第二栅极导电层的厚度小于所述第一栅极导电层的厚度，剩余的所述初始第二栅极导电层为所述第二栅极导电层；形成填充满所述缝隙的所述第二栅极氧化层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成填充满所述缝隙的所述第二栅极氧化层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成的所述第二栅极氧化层至少部分位于所述第一栅极导电层顶面。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成保护层，所述保护层位于所述第二栅极氧化层和所述第二栅极导电层的顶面。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述保护层之后，还包括：在相邻所述保护层之间的所述基底顶层形成位元线接触层，所述位元线接触层的底部远离所述保护层的顶面。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底内具有沟槽，所述沟槽具有第一深度；

所述沟槽侧壁和底面具有第一栅极氧化层，所述第一栅极氧化层表面具有第一栅极导电层，所述第一栅极氧化层和所述第一栅极导电层具有第二深度，所述第二深度小于所述第一深度；

第二栅极氧化层，位于所述第一栅极氧化层露出的所述沟槽的侧壁，在垂直于所述沟槽侧壁的方向上，所述第二栅极氧化层的等效栅氧厚度大于所述第一栅极氧化层的等效栅氧厚度；

第二栅极导电层，填满所述第二栅极氧化层和所述第一栅极导电层围成的凹槽。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层的材料相同。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极氧化层材料的介电常数大于所述第一栅极氧化层材料的介电常数。