[发明专利]半导体装置与制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110203188.X | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113206062A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 黄旺骏;陈豪育;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置与制造半导体装置的方法，半导体装置包含栅极结构、源极/漏极磊晶结构、前侧互连结构、背侧通孔件、隔离材料及侧壁间隔物。源极/漏极磊晶结构在栅极结构的一侧上。前侧互连结构在源极/漏极磊晶结构的前侧上。背侧通孔件连接至源极/漏极磊晶结构的背侧。隔离材料在背侧通孔件的一侧上且接触栅极结构。侧壁间隔物在背侧通孔件与隔离材料之间。隔离材料的高度大于侧壁间隔物的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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