[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110168012.5 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113284875A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一导电图案、一第一钝化层、一第二钝化层、一内连接结构以及一内连接衬垫，该导电图案形成在一半导体基底上，该第一钝化层位在该导电图案上，该第二钝化层位在该第一钝化层上，该内连接结构设置在该导电图案上，并位在该第一钝化层与该第二钝化层中，该内连接衬垫设置在该内连接结构与该导电图案之间，并围绕该内连接结构，其中该内连接衬垫的多个内侧壁表面直接接触该内连接结构，且在该内连接衬垫的多个外侧壁表面之间的一最大距离大于该导电图案的一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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