[发明专利]具有超通孔的半导体结构以及其制作方法在审
| 申请号： | 202110011434.1 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114725059A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 许闵翔;蔡郁涵;张志圣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有超通孔的半导体结构以及其制作方法，该半导体结构包含一基底，一第一金属层间介电层、一第二金属层间介电层以及一第三金属层间介电层依序位于该基底上，其中该第一金属层间介电层中包含有至少一第一导电层，该第二金属层间介电层中至少包含有一掩模层，该第三金属层间介电层中至少包含有至少一第三导电层，以及一超通孔(super via)，贯穿该第二层间介电层，电连接该第一导电层以及该第三导电层，且部分该超通孔直接接触该第二金属层间介电层中的该掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超通孔 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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