[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110009020.5 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114725058A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：晶圆，包括衬底和位于衬底内的掩埋电源轨；通孔，位于晶圆背面的衬底中且暴露出掩埋电源轨；电容结构，位于通孔内，包括位于通孔的底部和侧壁上的第一电极、与第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的电容介质层，第一电极与掩埋电源轨相接触；第一电源线，位于晶圆的背面上且与第一电极电连接；第二电源线，位于晶圆的背面上且与第二电极电连接。电容结构位于通孔内，能够增大单位面积上的电容密度和电容值，有利于提高电容结构对供电电源的滤波效果，且第一电极与掩埋电源轨相接触，通过第一电极使第一电源线能够对掩埋电源轨进行供电，相应与背面配电工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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