[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

晶圆，包括相对的正面和背面，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底内的掩埋电源轨，所述衬底的底面为所述背面；

通孔，位于所述晶圆背面的衬底中且暴露出所述掩埋电源轨；

电容结构，位于所述通孔内，包括位于所述通孔的底部和侧壁上的第一电极、与所述第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的电容介质层，所述第一电极与所述掩埋电源轨相接触；

第一电源线，位于所述晶圆的背面上且与所述第一电极电连接；

第二电源线，位于所述晶圆的背面上且与第二电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构的数量为多个，多个所述电容结构呈阵列式排布。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括位于所述通孔的底部和侧壁上的第一电极、位于所述第一电极上的电容介质层、以及位于所述电容介质层上且填充于所述通孔的第二电极。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构为垂直堆叠结构；所述第一电极包括位于通孔底部且与所述掩埋电源轨相接触的底部电极、以及凸出于所述底部电极且间隔排布的多个侧部电极；所述第二电极位于所述侧部电极之间的间隙中。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述背面包括用于电连接第一电源线的第一区域和用于电连接第二电源线的第二区域；

所述第一电极还延伸位于所述第一区域，所述第二电极还延伸覆盖于所述第二区域，且暴露出位于所述第一区域的第一电极；

所述第一电源线位于所述第一区域上且与所述第一电极电连接，所述第二电源线位于所述第二区域上且与第二电极电连接。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层，位于在所述第一电极与所述通孔侧壁的衬底之间、以及所述第一电极与所述通孔底部的衬底之间。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述晶圆正面的衬底上的器件结构。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，包括相对的正面和背面，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底内的掩埋电源轨，所述衬底的底面为所述背面；

对所述晶圆的背面进行刻蚀，在所述衬底中形成露出所述掩埋电源轨的通孔；

在所述通孔内形成电容结构，包括位于所述通孔的底部和侧壁上的第一电极、与所述第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的电容介质层，所述第一电极与所述掩埋电源轨相接触；

在所述晶圆的背面上形成与所述第一电极电连接的第一电源线以及与第二电极电连接的第二电源线。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔的步骤中，所述通孔的数量为多个，多个所述通孔呈阵列式排布。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述电容结构的步骤中，所述电容结构包括位于所述通孔的底部和侧壁上的第一电极、位于所述第一电极上的电容介质层、以及位于所述电容介质层上且填充于所述通孔的第二电极。

11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述电容结构的步骤中，所述电容结构为垂直堆叠结构；所述第一电极包括位于通孔底部且与所述掩埋电源轨相接触的底部电极、以及凸出于所述底部电极且间隔排布的多个侧部电极；所述第二电极位于所述侧部电极之间的间隙中。