[发明专利]用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构在审
| 申请号： | 202080089201.7 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114846633A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | G·C·加德纳;R·L·卡拉赫尔;S·V·格罗宁;M·J·曼弗拉 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体‑超导体混合结构(10)(优选采用纳米线的形式)包括在半导体层(12)上的超导体异质结构(14)。超导体异质结构至少包括在半导体层上的第一超导体层(14A)和在第一超导体层上的第二超导体层(14B)，其中第一超导体层包括第一超导材料并且第二超导体层包括与第一超导材料不同的第二超导材料。通过提供多层不同的超导材料，诸如铝和铅，与传统的超导同质结构相比，可以改善超导体异质结构的超导和物理性质，由此提高半导体‑超导体混合结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 超导体 混合结构 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微软技术许可有限责任公司，未经微软技术许可有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080089201.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锂离子电池
- 下一篇：压电致动器、液体喷出头以及记录装置
- 同类专利
- 超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法-202210298097.3
- 马亮亮;张润潇 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
- 2022-03-24 - 2022-12-06 - H01L39/22
- 本申请公开了一种超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法，属于量子计算技术领域。所述超导电路包括：位于衬底上的第一超导体；位于所述第一超导体的一侧面的势垒层，所述侧面垂直于所述衬底；以及，覆盖所述势垒层的第二超导体，且所述第二超导体、所述势垒层和所述第一超导体之间具有约瑟夫森效应。在本申请的结构中由于势垒层位于第一超导体的垂直于所述衬底的一个侧面上，因而可通过调整第一超导体的厚度调整势垒层的尺寸，克服了现有技术当中势垒层仅可通过第一超导体和/或第二超导体的线宽调整势垒层大小的难题，从而降低了对线宽精度的要求。
- 约瑟夫森结的电阻调控方法及量子芯片的制备方法-202210328176.4
- 张润潇;沈龙;马亮亮 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
- 2022-03-30 - 2022-12-06 - H01L39/22
- 本申请公开了约瑟夫森结的电阻调控方法及量子芯片的制备方法，属于量子计算技术领域。所述约瑟夫森结的势垒层为氧化物层，约瑟夫森结的电阻调控方法包括调整所述氧化物层的氧离子含量。量子芯片的制备方法包括先检测位于量子芯片上的约瑟夫森结的电阻，然后判断所述电阻是否符合目标值，若否，则调整所述氧化物层的氧离子含量。通过调整所述氧化物层的氧离子含量，实现了对约瑟夫森结的电阻的调控，有助于获得更好的量子比特的性能参数。
- 一种二能级缺陷表面分布的测量装置及其制备方法-202211051919.4
- 周博艺;冯加贵;熊康林;王雨;李晓梅 - 材料科学姑苏实验室
- 2022-08-30 - 2022-11-25 - H01L39/22
- 本发明涉及一种二能级缺陷表面分布的测量装置及其制备方法，所述测量装置包括电场发生装置以及表面缺陷测量结构；所述表面缺陷测量结构包括底片与顶片；所述顶片设置有电极；所述电极包括光栅电极或网格电极；所述底片设置有比特电路；所述底片与顶片通过微凸点倒装焊连接，形成电极在比特电路正上方的结构；所述电场发生装置连接电极，实现对二能级缺陷表面分布的电场调控。本发明通过在光栅电极或网格电极的不同区域施加电压，从而在比特电路表面的不同位置产生电场，从而实现对二能级缺陷表面分布的电场调控，实现二能级缺陷表面分布的测量。
- 超导电路、量子芯片-202220659171.5
- 马亮亮;张润潇 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
- 2022-03-24 - 2022-11-18 - H01L39/22
- 本申请公开了一种超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法，属于量子计算技术领域。所述超导电路包括：位于衬底上的第一超导体；位于所述第一超导体的一侧面的势垒层，所述侧面垂直于所述衬底；以及，覆盖所述势垒层的第二超导体，且所述第二超导体、所述势垒层和所述第一超导体之间具有约瑟夫森效应。在本申请的结构中由于势垒层位于第一超导体的垂直于所述衬底的一个侧面上，因而可通过调整第一超导体的厚度调整势垒层的尺寸，克服了现有技术当中势垒层仅可通过第一超导体和/或第二超导体的线宽调整势垒层大小的难题，从而降低了对线宽精度的要求。
- 一种超导量子芯片及其参数确定方法-202210928530.7
- 卢保军;杨晖;周慧德;范博;栾添 - 量子科技长三角产业创新中心
- 2022-08-03 - 2022-10-25 - H01L39/22
- 本申请公开了一种超导量子芯片及其参数确定方法，涉及量子芯片领域，该超导量子芯片包括芯片衬底和形成于所述芯片衬底上的量子模块，所述量子模块包括比特电容单元、读取线单元、约瑟夫森结单元，所述量子模块还包括共面波导‑阶跃阻抗谐振器单元。本申请的超导量子芯片中以共面波导‑阶跃阻抗谐振器单元来实现谐振器的功能，由于共面波导‑阶跃阻抗谐振器单元的物理特性，在同一并联谐振条件下，相比均匀阻抗谐振器，阶跃阻抗谐振器的电长度明显更小，进而缩小了单个量子比特的布局尺寸，使得特定比特数的量子芯片尺寸更小、量子芯片自由度更高，量子芯片集成度提高。
- 一种模块化超导量子计算芯片立体化扩展方法及封装结构-202210815991.3
- 费洋扬;王卫龙;孟祥栋;王洪;穆清;李元昊;马智;刘凤生 - 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
- 2022-07-12 - 2022-10-18 - H01L39/22
- 本发明提供一种模块化超导量子计算芯片立体化扩展方法及封装结构。该方法包括：提供超导量子计算芯片模块层，包括若干超导量子计算芯片模块，所述超导量子计算芯片模块包括超导量子比特和耦合电容pad1，所述超导量子比特与所述耦合电容pad1之间采用连接线路相连接；提供超导量子计算芯片耦合层，包括耦合电容pad2；将所述超导量子计算芯片模块层和所述超导量子计算芯片耦合层进行堆叠以使所述耦合电容pad1和所述耦合电容pad2之间形成平行板电容。本发明解决了常规倒装焊技术在多层立体超导量子计算芯片结构中扩展难的问题，可以实现三维空间内任意扩展，对于提升模块化超导量子计算芯片立体化可扩展性具有重要意义。
- 具有带掺杂磁性层的磁性约瑟夫森结器件的存储器单元-201780044204.7
- T·F·安布罗斯 - 微软技术许可有限责任公司
- 2017-07-20 - 2022-09-23 - H01L39/22
- 提供了包括磁性约瑟夫森结(MJJ)器件的存储器单元。MJJ器件(300)包括：自由磁性层(310)、非磁性层(320)和固定磁性层(312)。自由磁性层包括磁性合金，例如掺杂有钒、锆、钼或铪中的至少一个的镍铁。固定磁性层包括第二磁性合金，该第二磁性合金未被掺杂、或者具有比自由磁性层更低的掺杂量。
- 一种量子芯片及制备方法-202110264015.9
- 马亮亮;刘文书;郑杰;王念慈;尤兵 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
- 2021-03-09 - 2022-09-13 - H01L39/22
- 本申请公开了一种量子芯片及制备方法，包括一基础衬底，所述基础衬底上形成有信号传输线；至少一绝缘衬底，位于所述基础衬底上，所述绝缘衬底上形成有量子比特和贯穿所述绝缘衬底的通孔，所述通孔内形成有金属件，所述金属件的两端分别电连接所述信号传输线和所述量子比特，实现所述信号传输线和所述量子比特之间的信号传输，组成位于不同层的完整的量子比特电路，同时叠层多个绝缘衬底用于形成位于不同层上的量子比特，共同形成量子比特数量易于扩展的量子芯片，提高了量子芯片的集成度。
- 一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备-202210561358.6
- 宋小会;杜燕京;相忠诚;张贺;郑东宁 - 中国科学院物理研究所
- 2022-05-23 - 2022-08-16 - H01L39/22
- 本发明提供了一种三维封装超导量子比特器件，所述铌基超导量子比特器件从下到上依次设置为：下层衬底、第一超导薄膜、金属柱子、第二超导薄膜、上层衬底；还提供了其制备方法和设备。本发明三维封装超导量子比特器件避免了铝基比特样品，铝材料与铟柱子之间合金化,形成非超导层,难以实现超导连接的弊端，简化了工艺步骤，实现了三维立体超导连接。多个焊接点串联测试得到超导临界电流达到100mA，远大于铝基倒装焊器件30mA的临界电流。器件制备工艺简单，性能稳定。由于超导材料铌与铟之间超导连接，可以在连接处施加大的电流而不会引起发热等现象，有助于对超导比特器件实现三维立体操控。倒装芯片短的互连减小了电感，电阻和电容，信号完整性和频率特性更好。
- 用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构-202080089201.7
- G·C·加德纳;R·L·卡拉赫尔;S·V·格罗宁;M·J·曼弗拉 - 微软技术许可有限责任公司
- 2020-11-24 - 2022-08-02 - H01L39/22
- 半导体‑超导体混合结构(10)(优选采用纳米线的形式)包括在半导体层(12)上的超导体异质结构(14)。超导体异质结构至少包括在半导体层上的第一超导体层(14A)和在第一超导体层上的第二超导体层(14B)，其中第一超导体层包括第一超导材料并且第二超导体层包括与第一超导材料不同的第二超导材料。通过提供多层不同的超导材料，诸如铝和铅，与传统的超导同质结构相比，可以改善超导体异质结构的超导和物理性质，由此提高半导体‑超导体混合结构的性能。
- 量子门装置-202080054500.7
- 野口笃史;中村泰信 - 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- 2020-02-28 - 2022-07-22 - H01L39/22
- 本发明的量子门装置10包括以第一共振频率共振的第一超导电路11、以第二共振频率共振的第二超导电路12、以及将第一超导电路11和第二超导电路12连接的连接部13。第一超导电路11包括一个第一约瑟夫森元件111、第二约瑟夫森元件组112、以及第一电容器114。第二约瑟夫森元件组112是将n个约瑟夫森元件利用由超导体所构成的配线串联地连接而形成的，该n个约瑟夫森元件的各个所具有的约瑟夫森能量比第一约瑟夫森元件111的约瑟夫森能量的n倍大。第一配线115通过将第一约瑟夫森元件111与第二约瑟夫森元件组112呈环状连接而形成局部超导电路113，进而将局部超导电路113与第一电容器114并联地连接。量子门装置10进而具有对局部超导电路113内施加静磁场的磁场施加部14、以及将具有第一共振频率与第二共振频率的差即差频的电磁波照射至第一超导电路11和/或第二超导电路12的电磁波照射部(第一电磁波照射部151)。
- 超导量子混合系统与计算机设备-202110073568.6
- 周宇;张贞兴;淮赛男;郑亚锐;张胜誉 - 腾讯科技（深圳）有限公司
- 2021-01-20 - 2022-07-15 - H01L39/22
- 本申请是一种超导量子混合系统与计算机设备，涉及量子计算领域。超导量子混合系统包括：碳化硅外延层以及超导量子比特线路；碳化硅外延层的指定区域内包含氮空穴色心；氮空穴色心是对指定区域的碳化硅外延层注入氮离子形成的；超导量子比特线路位于碳化硅外延层的表面；超导量子比特线路对应的超导量子比特与指定区域中的氮空穴色心对应的固态缺陷量子比特耦合。上述方案通过离子注入方式可以准确的控制NV色心形成的位置和数量，以便控制固态缺陷量子比特与超导量子比特之间的耦合，使得相干时间短的超导量子比特可以将信息存储至相干时间长的固态缺陷量子比特中，增大了信息的退相干时间，更容易在相干时间内实现有效数量的量子计算操作。
- 包含具有嵌入的磁场控制元件的磁约瑟夫逊结的计算设备-202080082306.X
- S·霍姆斯;B·多里斯;M·G·哥特瓦尔德;R·乔希;S·查克拉博蒂 - 国际商业机器公司
- 2020-11-18 - 2022-07-12 - H01L39/22
- 芯片内磁场控制设备形成在约瑟夫逊结(JJ)结构附近。芯片内磁场控制设备包括与JJ结构横向相邻的布线结构。在一些实施例中，除了布线结构之外，磁场控制设备还包括连接到布线结构并位于JJ结构下方的导电板。使用穿过布线结构的电流直接或间接地将磁场感应到JJ结构中。可以通过穿过布线结构的电流量来调制场强度。可以根据需要通过停止使电流流过布线结构来关闭磁场。
- 约瑟夫森结、约瑟夫森结的制备方法、装置及超导电路-202210323356.3
- 张晓航;于文龙;古祥生;周经纬 - 阿里巴巴集团控股有限公司
- 2020-08-06 - 2022-07-05 - H01L39/22
- 本发明实施例提供了一种约瑟夫森结、约瑟夫森结的制备方法、装置及超导电路。约瑟夫森结包括：第一电极层，用于实现信号传输；第二电极层，用于实现信号传输；绝缘层，设置于第一电极层和第二电极层之间，以形成约瑟夫森结；第一电极层和第二电极层由预设材料构成，绝缘层由与预设材料相对应的化合物构成，预设材料包括非铝的超导材料,以延长超导量子比特的相干时间。本实施例有效地实现了通过非铝的超导材料来制备约瑟夫森结，由于上述材料具有晶格结构稳定的特征，有效地避免了因晶格结构存在缺陷而消耗能量，并且上述材料能够延长超导量子比特的相干时间，有利于提高超导量子比特计算的准确性，同时提高了所制备的约瑟夫森结的质量和效率。
- 超导量子干涉仪及其制备方法-202210262323.2
- 王仕建;高鹤;李劲劲;王雪深;徐达;钟青 - 中国计量科学研究院
- 2022-03-17 - 2022-07-05 - H01L39/22
- 本发明涉及一种超导量子干涉仪及其制备方法，所述超导量子干涉仪包括：衬底；地线层，形成于衬底的表面；第一绝缘层，形成于地线层远离衬底的表面；约瑟夫森结，包括依次层叠的第一超导层、第二绝缘层和第二超导层，作为底电极；第三绝缘层，覆盖裸露的第一绝缘层及约瑟夫森结，第三绝缘层内设有第三通孔及第四通孔，第三通孔暴露出第一超导层，第四通孔暴露底电极；电阻，形成于第三绝缘层远离第一绝缘层的表面；第三超导层，覆盖第三绝缘层填满第三通孔和第四通孔，作为顶电极；第三超导层内设置有开口，开口将第三超导层分隔为通过电阻连接的两部分。通过增设地线超导层，使钉扎的磁通量子限制在第一通孔中，从而降低磁通钉扎的影响。
- 用于低温设备的低温制冷-202080076404.2
- S·霍姆斯;D·萨达纳;S·贝德尔;李宁 - 国际商业机器公司
- 2020-11-19 - 2022-06-21 - H01L39/22
- 提供了一种主动冷却结构(200，200a)，包括非超导体层(220)、超导体层(210)以及超导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列(240)。所述非超导体层可以包括多个非超导体迹线(222)。所述超导体层可以包括多个超导体迹线(212)。所述超级导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列可以位于所述多个非超导体迹线与所述多个超导体迹线之间。
- 半导体超导体混合器件-202080073351.9
- G·W·温克勒;R·M·卢钦;L·P·考恩霍文;F·卡里米 - 微软技术许可有限责任公司
- 2020-10-21 - 2022-06-07 - H01L39/22
- 一种半导体超导体混合器件(100)包括以夹层结构被布置在第一绝缘层和第二绝缘层(16a，16b)之间的半导体层(10)、以及被布置在半导体层的边缘(14)之上以实现半导体与超导体之间的能级杂化的超导体层(12)。优选地，还包括用于能级杂化的静电控制的栅极电极(20)。该器件可能在量子计算机中很有用。还提供了一种制造该器件的方法、以及一种在该器件中诱导拓扑行为的方法。
- 量子电路、量子芯片及量子器件-202123109324.3
- 杨晖;陆瑞;李业 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
- 2021-12-10 - 2022-06-07 - H01L39/22
- 本实用新型公开了一种量子电路、量子芯片及量子器件，其中，所述量子电路包括第一超导元件、第二超导元件和约瑟夫森结，通过设置与第一电极一体成型的第一连接层，以及与第二电极一体成型的第二连接层，便于将第一电极与第一超导元件电连接，以及将第二电极与第二超导元件电连接，有助于第一电极和第一连接层的同步加工制备，以及第二电极和第二连接层的同步加工制备，相比于现有技术中，先制备约瑟夫森结，再制备用于连接约瑟夫森结与超导元件的电学连接结构，制备工序冗长，制备周期长，制备效率低，本实施例提供的量子电路的结构易于制备，有助于缩短工艺流程，压缩制备周期，提高制备效率。
- 约瑟夫森结、约瑟夫森结的制备方法、装置及超导电路-202010783265.9
- 张晓航;于文龙;古祥生;周经纬 - 阿里巴巴集团控股有限公司
- 2020-08-06 - 2022-05-31 - H01L39/22
- 本发明实施例提供了一种约瑟夫森结、约瑟夫森结的制备方法、装置及超导电路。约瑟夫森结包括：第一电极层，用于实现信号传输；第二电极层，用于实现信号传输；绝缘层，设置于第一电极层和第二电极层之间，以形成约瑟夫森结；第一电极层和第二电极层由预设材料构成，绝缘层由与预设材料相对应的化合物构成，预设材料包括非铝的超导材料,以延长超导量子比特的相干时间。本实施例有效地实现了通过非铝的超导材料来制备约瑟夫森结，由于上述材料具有晶格结构稳定的特征，有效地避免了因晶格结构存在缺陷而消耗能量，并且上述材料能够延长超导量子比特的相干时间，有利于提高超导量子比特计算的准确性，同时提高了所制备的约瑟夫森结的质量和效率。
- 耐用的混合异质结构及其制造方法-202080065946.X
- C·F·托马斯;M·J·曼弗拉 - 微软技术许可有限责任公司
- 2020-06-26 - 2022-04-29 - H01L39/22
- 一种混合异质结构(10)包括：包括锑化铟的半导体层(12)、包括铝的超导体层(16)、以及在半导体层与超导体层之间的屏蔽层(14)，屏蔽层包括砷化铟。通过在锑化铟半导体层与铝超导体层之间包括砷化铟屏蔽层，提供了适用于量子计算设备的高性能且耐用的混合异质结构。
- 半导体-超导体异质结构-202080063813.9
- D·I·皮库林;G·C·加德纳;R·L·卡拉赫;G·W·温克勒;S·V·格罗尼恩;P·克罗格斯拉普·杰普森;M·J·曼弗拉;A·安提波夫;R·M·卢钦 - 微软技术许可有限责任公司
- 2020-06-09 - 2022-04-19 - H01L39/22
- 一种器件(3)，包括：半导体的部分(4)；超导体的部分(6)，其被布置为使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在半导体的区域中被诱发；以及非磁性材料的部分(5)，包括原子序数Z大于或等于(26)的元素，其被布置为增加半导体的拓扑区域中的拓扑间隙。
- 集成分子束外延的新型约瑟夫森结制备方法-202111575030.1
- 姚晓梅;吴永政;季阳;王乔;杨冠卓 - 华东计算技术研究所（中国电子科技集团公司第三十二研究所）
- 2021-12-21 - 2022-04-15 - H01L39/22
- 本发明提供了一种集成分子束外延的新型约瑟夫森结制备方法，本方法适用于新型材料体系的高质量约瑟夫森结的制备，各真空部件通过传样杆实现互联，通过挡板阀进行隔离，实现各步骤之间的高真空有机互联，有效保证各步骤之间材料的纯度与薄膜的质量。在分子束外延腔体中添加多种束源炉，保证绝缘层材料体系的丰富性，在离子束蒸镀腔体中，采用不同种类的超导金属作为约瑟夫森结三明治结构的顶端与低端。本发明大大丰富了约瑟夫森结系统中的材料体系，又为结区的制备提供了全周期的高真空与高洁净度，极大程度提升了制得的约瑟夫森结的质量。因此，本方法对于超导干涉仪，超导量子计算机，参量放大器等以约瑟夫森结为基础的器件制备具有重要意义。
- 约瑟夫森结器件及其制备方法-201811367576.6
- 薛其坤;马旭村;张定;朱玉莹;廖孟涵 - 清华大学
- 2018-11-16 - 2022-03-08 - H01L39/22
- 本发明公开了一种约瑟夫森结器件的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成间隔设置的第一电极和第二电极，在所述衬底表面形成间隔区域；分别提供第一超导材料薄膜和第二超导材料薄膜，所述第一超导材料薄膜和所述第二超导材料薄膜为层状超导材料，所述层状超导材料包括绝缘层和超导层；将所述第一超导材料薄膜转移至所述衬底表面，使所述第一超导材料薄膜同时覆盖部分所述间隔区域及部分所述第一电极；以及将所述第二超导材料薄膜转移至所述衬底表面，使所述第二超导材料薄膜同时覆盖部分所述第一超导材料薄膜、部分所述间隔区域及部分所述第二电极。本发明还公开了一种约瑟夫森结器件。
- 基于反常约瑟夫森效应的器件、其制备及相位调控方法-202111411901.6
- 张祥;吕力 - 中国科学院物理研究所
- 2021-11-25 - 2022-03-01 - H01L39/22
- 本发明提供了一种基于反常约瑟夫森效应的器件所述基于反常约瑟夫森效应的器件从下至上依次包括衬底、纳米片、约瑟夫森N结图层(N为≥3的整数)、第一层金属膜、绝缘层、探测电极图层、第二层金属膜，还提供了其制备及相位调控方法。本发明的基于反常约瑟夫森效应的器件利用反常约瑟夫森效应来调控结区的相位差，从而丰富调控结区相位差的手段，同时也能完全控制约瑟夫森多结所有的相位差，有助于未来对拓扑量子比特的操控与读取。
- 超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件-202111080289.9
- 何珂;张浩;冯硝;姜钰莹;苗文韬;宋文玉;曹霑;杨帅;李琳;仝冰冰;臧运祎;耿祖汗 - 北京量子信息科学研究院;清华大学
- 2021-09-15 - 2021-12-24 - H01L39/22
- 本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。
- 二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法-202110975488.X
- 徐达;李劲劲;钟青;王雪深 - 中国计量科学研究院
- 2021-08-24 - 2021-12-17 - H01L39/22
- 本申请涉及一种二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。反馈线圈与输入线圈均绝缘设置于第一环路电极(SQUID环路的一部分)表面，形成了上下重叠耦合结构，使得输入线圈与SQUID环路的耦合更加匹配，增大了耦合系数。第一环路电极、第二环路电极、第三环路电极、第四环路电极、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构之间并联连接，形成了二阶梯度并联电感结构的SQUID环路，可有效抵消外界磁场干扰。因此，通过二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，重叠耦合结构耦合系数大，有利于减弱外界磁场干扰，有利于输入线圈与SQUID环路的耦合匹配。
- 一种基于光子BEC的光学约瑟夫森结结构-202110851484.0
- 王智勇;赖献莅;刘禹墨;王云祥 - 电子科技大学
- 2021-07-27 - 2021-11-26 - H01L39/22
- 本发明属于量子信息领域，特别涉及一种基于光子BEC的光学约瑟夫森结结构。包括一个复合谐振腔、单个原子和光信号；所述复合谐振腔由第一谐振腔、第二谐振腔和矩形截止波导组成；第一谐振腔与第二谐振腔结构相同，两个谐振腔通过矩形截止波导相连形成光学双势阱结构；所述单个原子设置在矩形截止波导的中心位置。本发明所采用的光学双势阱结构具有良好的稳定性，编码的量子比特的两个最低能级与其他光子能级的间隔较大，光子与原子之间的耦合度较高，能够在腔中用原子系统和光子系统编码量子比特，实现更大容量和更高速度的传输，为量子信息技术实现提供了一种新的解决方案。
- 基于拓扑半金属纳米结构的拓扑量子比特装置及实现方法-202110952523.6
- 廖志敏;初纯光;王安琦;李娜 - 北京大学
- 2021-08-19 - 2021-11-19 - H01L39/22
- 本发明公开了基于拓扑半金属纳米结构的拓扑量子比特装置及实现方法。本发明在拓扑半金属单晶纳米结构和超导层的异质结中形成拓扑超导体，通过顶栅和背栅的双栅电压调控载流子迁移率，从而调控量子限制效应，使纳米结构的电子能带结构的拓扑性质发生变化，在拓扑能带区间的两端各形成一个马约拉纳量子态，并通过栅压调控拓扑相变对马约拉纳量子态进行编织操作，以物理构筑拓扑量子比特；本发明基于拓扑半金属纳米结构的拓扑相变，构建马约拉纳量子态，保证马约拉纳量子态不会因波函数重叠而退相干，提高了拓扑量子比特器件的鲁棒性；马约拉纳量子态的编织操作只需纯电学调制，无需外加磁场，操作简单，有利于拓扑量子比特的集成和应用。
- 多模约瑟夫逊参数转换器-201680056805.5
- B.阿布多 - 国际商业机器公司
- 2016-09-26 - 2021-10-29 - H01L39/22
- 一种涉及操作多模约瑟夫逊参数转换器作为多模量子限幅放大器的技术。多模约瑟夫逊参数转换器在不同的谐振频率并行接收多个量子信号。多模约瑟夫逊参数转换器根据应用到多模约瑟夫逊参数转换器的泵浦信号同时放大多个量子信号。根据泵浦信号，已经在不同谐振频率下被放大的多个量子信号被反射。
- 一种量子芯片-202120502815.5
- 马亮亮;刘文书;郑杰;王念慈;尤兵 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
- 2021-03-09 - 2021-10-08 - H01L39/22
- 本申请公开了一种量子芯片，包括一基础衬底，所述基础衬底上形成有信号传输线；至少一绝缘衬底，位于所述基础衬底上，所述绝缘衬底上形成有量子比特和贯穿所述绝缘衬底的通孔，所述通孔内形成有金属件，所述金属件的两端分别电连接所述信号传输线和所述量子比特，实现所述信号传输线和所述量子比特之间的信号传输，组成位于不同层的完整的量子比特电路，同时叠层多个绝缘衬底用于形成位于不同层上的量子比特，共同形成量子比特数量易于扩展的量子芯片，提高了量子芯片的集成度。
- 专利分类
