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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用离子注入进行SAG纳米线生长-CN202180037812.1在审
发明人： G·C·加德纳;S·V·格罗宁;R·L·卡拉赫尔;M·J·曼弗拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种纳米线结构，其包括具有衬底本体和离子注入区域的衬底、在衬底之上的具有开口的图案化掩模、以及纳米线。在此，衬底本体由导电材料形成，并且从衬底本体的顶表面延伸到衬底本体中的离子注入区域是电绝缘的。衬底本体的表面部分通过图案化掩模的开口被暴露，而离子注入区域被图案化掩模完全覆盖。纳米线直接形成于衬底本体的暴露表面部分之上，并且不与离子注入区域接触。此外，纳米线被限制在离子注入区域内，使得离子注入区域被配置为在衬底中提供纳米线的导电屏障。
利用离子注入进行 sag 纳米生长

[发明专利]用于制造纳米线的方法-CN202180015314.7在审
发明人： G·C·加德纳;R·L·卡拉赫;S·V·格罗宁 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种用于制造纳米线的方法，特别是诸如InAs或InSb的半导体材料的纳米线，该方法包括提供牺牲衬底，在牺牲衬底上提供图案化的掩模层，通过图案化的掩模层中的开口提供纳米线，以及去除牺牲衬底。牺牲衬底的材料可以被选择为与纳米线材料晶格匹配，而不考虑其电学特性。在去除牺牲衬底之前可以在纳米线的顶部形成超导层，并且在去除牺牲衬底之后可以在纳米线的底侧上形成附加超导层。
用于制造纳米方法

[发明专利]用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构-CN202080089201.7在审
发明人： G·C·加德纳;R·L·卡拉赫尔;S·V·格罗宁;M·J·曼弗拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：半导体‑超导体混合结构(10)(优选采用纳米线的形式)包括在半导体层(12)上的超导体异质结构(14)。超导体异质结构至少包括在半导体层上的第一超导体层(14A)和在第一超导体层上的第二超导体层(14B)，其中第一超导体层包括第一超导材料并且第二超导体层包括与第一超导材料不同的第二超导材料。通过提供多层不同的超导材料，诸如铝和铅，与传统的超导同质结构相比，可以改善超导体异质结构的超导和物理性质，由此提高半导体‑超导体混合结构的性能。
用于半导体超导体混合结构结构

[发明专利]半导体-超导体混合器件及其制造-CN202080084194.1在审
发明人： G·C·加德纳;A·C·C·德拉克曼;C·M·马库斯;M·J·曼弗拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种制造半导体‑超导体混合器件的方法，包括：提供包括以下各项的工件：半导体组件、该半导体组件上的第一超导体材料的层、以及第一超导体材料上的第二超导体材料的层，第二超导体材料与第一超导体材料不同；蚀刻第二超导体材料的层以暴露第一超导体材料的部分；以及使第一超导体材料的该部分氧化以在半导体上形成钝化层。第一超导体在半导体与第二超导体之间提供能量耦合，并且钝化层保护半导体，同时允许电进入该半导体。还提供了一种混合器件以及一种蚀刻的方法。
半导体超导体混合器件及其制造

[发明专利]半导体-超导体混合器件、其制造和用途-CN202080074202.4在审
发明人： G·W·温克勒;R·M·卢钦;G·C·加德纳;R·L·卡拉赫;S·V·格罗尼恩;M·J·曼弗拉;F·卡里米 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L39/10 文献下载
摘要：半导体‑超导体混合器件(200)包括半导体(10)、超导体(18)以及在超导体和半导体之间的势垒(14)。该器件被配置为使得实现在半导体和超导体之间的能级杂化。势垒被配置为增加器件的拓扑间隙。势垒允许控制半导体和超导体之间的杂化程度。另外的方面提供了一种包括该器件的量子计算机、一种制造该器件的方法以及一种在该器件中诱发拓扑行为的方法。
半导体超导体混合器件制造用途

[发明专利]用于暂时地将半导体衬底接合到载体的方法-CN202080065391.9在审
发明人： G·C·加德纳 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括提供半导体衬底并且将半导体衬底接合到载体。半导体衬底包括惰性材料层和位于惰性材料层上的半导体层。半导体衬底被接合到载体使得惰性材料层位于载体与半导体衬底之间。通过在载体与半导体衬底之间包括惰性材料层，形成用于将半导体衬底接合到载体的任何接合剂的扩散阻挡层，从而保持半导体层的完整性并且允许容易地从载体去除半导体衬底。
用于暂时半导体衬底接合载体方法

[发明专利]半导体-超导体异质结构-CN202080063813.9在审
发明人： D·I·皮库林;G·C·加德纳;R·L·卡拉赫;G·W·温克勒;S·V·格罗尼恩;P·克罗格斯拉普·杰普森;M·J·曼弗拉;A·安提波夫;R·M·卢钦 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：一种器件(3)，包括：半导体的部分(4)；超导体的部分(6)，其被布置为使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在半导体的区域中被诱发；以及非磁性材料的部分(5)，包括原子序数Z大于或等于(26)的元素，其被布置为增加半导体的拓扑区域中的拓扑间隙。
半导体超导体结构

[发明专利]设备的制造-CN202080009135.8在审
发明人： R·L·卡拉赫;S·V·格罗尼恩;G·C·加德纳 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-01-04 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：一种制造设备的方法，其中设备包括多个材料段和至少一个连接两个或更多个材料段的结。在掩蔽阶段，掩模被形成在设备的底层上。掩模包括暴露底层的多个沟槽，每个沟槽对应于材料段中的一个材料段。两个或多个沟槽的相应部分在与至少一个结对应的位置处(a)变窄，或者(b)被间断隔开。在选择性区域生长阶段，材料在沟槽集中生长以在底层上形成材料段。两个或更多个材料段在至少一个结处被连接。
设备制造

[发明专利]半导体制造-CN201980088591.3在审
发明人： R·L·卡拉赫;G·C·加德纳;S·V·格罗宁 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：半导体结构的原位图案化是使用一个或多个“阴影壁”(408)结合成角度(110)的沉积束而被执行的。阴影壁从衬底的表面向外突出以限定相邻的阴影区，在该阴影区中，由于阴影壁抑制成角度的沉积束的通过而阻止了沉积。因此，在阴影区内的半导体结构的表面部分上不会发生沉积。因此阴影壁可以被用于实现半导体结构的选择性图案化。阴影壁本身由半导体形成。在一种实现中，半导体结构和用于对半导体结构进行选择性图案化的一个或多个阴影壁可以通过使用选择性区域生长(SAG)而形成。
半导体制造

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