[实用新型]一种防静电金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 202023165762.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN213635957U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 谭丛辉;王言豪 | 申请（专利权）人： | 深圳市新芯矽创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 袁曼曼;梁炎芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于场效应管技术领域，且公开了一种防静电金属氧化物半导体场效应管，包括第一场效应管主体，所述第一场效应管主体的外侧设置有第一防弯折机构，所述第一防弯折机构包括第一仓体，所述第三连接块的底端开设有第四凹槽，所述第三凹槽的内部插设有第一插杆，所述第一插杆的外侧套设有第一弹簧，所述第一仓体的内部设置有第一弹出机构，本实用新型避免了在运输的过程中产生一定的晃动使得第一场效应管主体的底端发生弯折，对第一场效应管主体进行了一定的保护，使得第一场效应管主体在运输的过程中更加安全，减少了用户的经济损失，使得用户对于第一场效应管主体的拿取更加的方便，提高了用户的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
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