[实用新型]一种防静电金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 202023165762.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN213635957U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 谭丛辉;王言豪 | 申请（专利权）人： | 深圳市新芯矽创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 袁曼曼;梁炎芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
1.一种防静电金属氧化物半导体场效应管，包括第一场效应管主体，其特征在于：所述第一场效应管主体的外侧设置有第一防弯折机构，所述第一防弯折机构包括第一仓体，所述第一场效应管主体的外侧套设有第一仓体，所述第一仓体的内部开设有第一凹槽，所述第一仓体顶端的左侧固定有两组第一连接块，所述第一仓体的顶端设置有第一连接板，且第一连接板与第一连接块铰接相连，所述第一仓体顶端的右侧固定有第二连接块，且第二连接块的内部开设有第二凹槽，所述第二连接块的右端开设有第三凹槽，所述第一连接板右侧的底端固定有第三连接块，所述第三连接块的底端开设有第四凹槽，所述第三凹槽的内部插设有第一插杆，且第一插杆的左端插设在第四凹槽内部，所述第一插杆的外侧套设有第一弹簧，所述第一仓体的内部设置有第一弹出机构。
2.根据权利要求1所述的一种防静电金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述第一仓体的内部设置有两组第一弹出机构，所述第一弹出机构包括第四连接块，所述第一仓体内部的左右两侧皆固定有第四连接块，且第四连接块的内部皆开设有第五凹槽，所述第五凹槽的内部皆固定有第二弹簧，所述第二弹簧的顶端皆设置有第五连接块，且第五连接块的底端皆与第二弹簧固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种防静电金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述第一连接板的底端固定有连接块，且连接块的表面胶合有第一橡胶垫。
4.根据权利要求1所述的一种防静电金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述第一插杆右端的表面胶合有第二橡胶垫，且第二橡胶垫与第一插杆的表面相贴合。
5.根据权利要求1所述的一种防静电金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述第一插杆的左端呈倾斜状，所述第一插杆的左端插设在第四凹槽内部。
6.根据权利要求2所述的一种防静电金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述第五连接块的一侧固定有滑块，所述第一仓体的内部开设有与滑块相配合的滑槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市新芯矽创电子科技有限公司，未经深圳市新芯矽创电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202023165762.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
