[发明专利]单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构及制备方法在审
申请号: | 201811590959.X | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109638103A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 黄海宾;吴小元;何学勇;梁栋;王月斌;徐昕;王磊;彭德香;周浪 | 申请(专利权)人: | 中智(泰兴)电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0745 | 分类号: | H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 张斌 |
地址: | 225400 江苏省泰州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。全过程采用链式清洗机制绒方式,在槽式制绒后采用湿化学刻蚀的方法对背光面进行刻蚀,实现金字塔绒面结构的增大或者抛光,然后进行RCA清洗、HF去自然氧化层和慢提拉、烘干。针对双面进光特性的不同对迎光面和背光面绒面结构分别进行设计,并解决差异化的绒面结构的生产制造问题,提供一种简化工艺,能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流。 | ||
搜索关键词: | 绒面结构 背光面 金字塔绒面结构 差异化 迎光面 异质结太阳电池 单晶硅 刻蚀 自然氧化层 短路电流 复合损耗 硅片结构 抛光 背表面 光特性 抛光面 湿化学 烘干 槽式 链式 提拉 制绒 制备 生产成本 清洗 节约 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中智(泰兴)电力科技有限公司,未经中智(泰兴)电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811590959.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构及制备方法-201811590959.X
- 黄海宾;吴小元;何学勇;梁栋;王月斌;徐昕;王磊;彭德香;周浪 - 中智(泰兴)电力科技有限公司
- 2018-12-25 - 2019-04-16 - H01L31/0745
- 本发明涉及一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。全过程采用链式清洗机制绒方式,在槽式制绒后采用湿化学刻蚀的方法对背光面进行刻蚀,实现金字塔绒面结构的增大或者抛光,然后进行RCA清洗、HF去自然氧化层和慢提拉、烘干。针对双面进光特性的不同对迎光面和背光面绒面结构分别进行设计,并解决差异化的绒面结构的生产制造问题,提供一种简化工艺,能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流。
- 一种基于Cs2SnI6&CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法-201611202586.5
- 姜亚南;曹丙强 - 济南大学
- 2016-12-23 - 2018-01-02 - H01L31/0745
- 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域,特别涉及一种基于Cs2SnI6&CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法。其中,无机Cs2SnI6具有钙钛矿变体结构,通过SnI4的乙醇溶液和CsI的DMF溶液反应的方法制备,用作太阳能电池中的空穴传输材料。通过将Cs2SnI6粉末溶解在CH3NH3PbI3前驱体溶液中旋涂得到黑色均一的薄膜,进一步组装得到具有体异质结结构的钙钛矿太阳能电池。本发明的制备工艺简单、无污染,原材料丰富、廉价,特别适合制备大批量、低成本太阳能电池。
- 一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法-201510156307.5
- 谭新玉;康喆;田丹妮;肖婷;向鹏;姜礼华 - 三峡大学
- 2015-04-03 - 2017-01-25 - H01L31/0745
- 本发明公开了一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法。采用化学气相沉积(CVD)法生长的石墨烯网(GFW)转移到n型硅(n‑Si(100)基片上后,形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光照射高铂酸溶液来负载铂纳米颗粒的方法,在GFW/n‑Si器件表面负载铂纳米粒子。本发明的铂负载的石墨烯、硅太阳能电池在室温、100 mW/cm2的模拟太阳光源照射下,器件的开路光电压从474mV提升到545 mV、短路光电流从18.2 mA/cm2提升到19.6mA/cm2、填充因子从42.8%提升到51.2%以上,光电转换效率从3.69%提升到5.48%。采用该方法具有性能优越,价格低廉,制备简单且不同于之前文献中所报道的用硝基甲苯作为溶剂,而采用去离子水作为溶剂,是一种优异的提升可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件性能的方法。
- 具有氧化物隧穿结的太阳能电池-201610177605.7
- J·B·衡;游晨涛;徐征;傅建明 - 光城公司
- 2011-05-04 - 2016-08-10 - H01L31/0745
- 本发明的一个实施例提供具有氧化物隧穿结的太阳能电池。该太阳能电池包括基极层;与所述基极层相邻的量子隧穿势垒(QTB)层;发射极;表面电场层;前侧电极;以及背侧电极。
- 一种石墨烯太阳电池-201320543831.4
- 罗云荣;羊亿 - 湖南师范大学
- 2013-09-03 - 2014-03-19 - H01L31/0745
- 本实用新型公开了一种石墨烯太阳电池,其特征在于,在p型基底晶体硅片的正面沉积n型石墨烯薄膜,再在n型石墨烯薄膜的上面沉积金属上电极,然后在p型基底晶体硅片的背面沉积金属下电极。本实用新型的优点是结构和工艺简单,生产成本低,尤其是利用石墨烯材料良好的透光性、电导性和稳定性,使得制备的太阳能电池,载流子迁移率高,电池的光电转换效率高,稳定性好。
- 光伏器件和形成光伏器件的方法-201310356176.6
- K·E·福格尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨丹那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 - 国际商业机器公司
- 2013-08-15 - 2014-02-19 - H01L31/0745
- 本发明涉及光伏器件和形成光伏器件的方法。一种光伏器件,其包括吸收第一波长范围光的上部电池和吸收第二波长范围的光的底部电池。所述底部电池包括包含晶体含锗(Ge)层的异质结。所述晶体含锗(Ge)层的至少一个表面与含硅(Si)层接触,请求所述含Si层具有大于所述晶体含锗(Ge)层的带隙。
- P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法-201310180850.X
- 罗林保;谢超;曾龙辉;聂彪;胡瀚 - 合肥工业大学
- 2013-05-15 - 2013-09-11 - H01L31/0745
- 本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法,其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区,在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层;在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅纳米线阵列;在N-型硅纳米线阵列中的N-型硅纳米线的表面包裹P-型碳量子点薄膜层;在P-型碳量子点薄膜层表面设置金属电极层,P-型碳量子点薄膜层与金属电极层为欧姆接触。本发明工艺简单、适合大规模生产,可制备光吸收能力强、光电转换效率高的太阳能电池,为硅纳米阵列结构在太阳能电池的应用中奠定了基础。
- 一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法-201210427530.5
- 张杰 - 国电光伏(江苏)有限公司
- 2012-12-21 - 2013-02-20 - H01L31/0745
- 本发明公开了一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法,该电池包括硅片衬底、钝化层、背电极、发射层、透明导电薄膜层、减反层和前电极;该方法包括使用HF溶液对硅片衬底进行表面清洗;在硅片衬底的背表面沉积钝化层;在钝化层表面利用磁控溅射方法沉积背电极;在硅片衬底的正表面沉积发射层;在发射层上利用磁控溅射沉积透明导电薄膜层;在透明导电薄膜层上利用PECVD方法沉积减反层;在减反层上通过丝网印刷前电极。本发明利用Si3N4层和透明的金属氧化物层来降低电池表面的光反射,避免电池表面有较大的织构,有利于得到高质量的硅薄膜层,形成良好的硅薄膜/晶硅界面,可以提高电池的电流密度和开路电压,从而提高异质结电池太阳的转换效率。
- 包括晶体氧化硅钝化薄膜的光伏电池以及用于制造该光伏电池的方法-201180007552.X
- P.穆尔;H.莫里塞厄;P-J.里贝农 - 原子能和代替能源委员会
- 2011-01-26 - 2012-11-07 - H01L31/0745
- 异质结光伏电池包含至少一个晶体氧化硅薄膜(11),该晶体氧化硅薄膜(11)直接置于晶体硅基底(1)的前或后表面(1a)的一个上,在所述基底(1)和非晶或微晶硅的层(3)之间。薄膜(11)用来确保基底(1)的所述表面(1a)的钝化。具体地,在沉积非晶硅的层(3)之前,薄膜(11)通过基团地氧化基底(1)的表面部分而获得。而且,本征或微掺杂的非晶硅的薄层(2)可置于所述薄膜(11)和非晶或微晶硅的层之间。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的