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[发明专利]一种低成本非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202211624308.4在审
发明人：黄仕华;骆芸尔;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法，所用的生长设备包括混气室和反应腔体，生长源溶液通过蒸发器蒸发并采用氢气携带的方式进入混气室，然后进入反应腔体，反应腔体内设有上下两个金属网格电极，射频电压加在上下两个金属网格电极之间。电池具备Ag/ITO/Mnz1MoOy2/MoOy1/SiOp/p‑c‑Si/SiOp/TiOx1/Mnz2TiOx2/Ca/Al的结构。本发明能提高氧化钛或氧化钼薄膜对晶体硅的钝化效果，且制备过程中大幅降低了等离子对薄膜的轰击，提升了薄膜的钝化性能。
一种低成本掺杂结晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池-CN202211623964.2在审
发明人：黄仕华;骆芸尔;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，包括n型单晶硅基础层，n型单晶硅基础层的反面依次有氟掺杂的氮化硅层/富氮的氮化硅层/银层，n型单晶硅基础层的正面依次有氟掺杂的氮化硅层/氧掺杂的氮化硅层/银电极。氟掺杂的氮化硅对硅起到了优异的表面钝化作用，氧掺杂的氮化硅、富氮的氮化硅分别起到了空穴选择性接触和电子选择性接触的作用。通过掺杂调控氮化硅薄膜中的固有电荷密度以及电荷的正负属性，从而改变材料的电荷俘获能力，使得氮化硅薄膜材料兼具电子选择性接触和空穴选择性接触的功能，同时电池的制备成本也可以得到大幅降低，并非常适合工业化量产。
基于钝化场效应掺杂晶体太阳能电池