[实用新型]一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构有效
| 申请号： | 202021144752.2 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN212783437U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 方梁洪;彭祎;任超;李春阳;刘凤;刘明明 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。本实用新型的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构，包括：晶圆，晶圆的表面具有焊盘；钝化层，设于晶圆有焊盘一侧的表面上方及焊盘的表面上方，钝化层与焊盘对应的位置处形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电凸块，位于开口内，第一导电凸块用于填充开口；第二导电凸块，位于第一导电凸块的上方且与第一导电凸块电连接，第二导电凸块用于实现与外部的电连接。本实用新型通过第一导电凸块填充不规则开口，再进行电镀形成第二导电凸块，能够有效地消除在不规则开口内电镀产生的电镀空洞，解决了现有技术中电镀后凸块呈现电镀空洞的问题，提高了芯片封装产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 电镀 空洞 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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