[实用新型]一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202021144752.2 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN212783437U 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 方梁洪;彭祎;任超;李春阳;刘凤;刘明明 申请(专利权)人: 宁波芯健半导体有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 315336 浙江省宁波市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 消除 电镀 空洞 晶圆级 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述晶圆级芯片封装结构适用于具有底部截面面积大于顶部截面面积的钝化层开口的晶圆,包括:

晶圆(1),所述晶圆(1)的表面具有焊盘(2);

钝化层(3),所述钝化层(3)设于所述晶圆(1)有焊盘(2)一侧的表面上方及所述焊盘(2)的表面上方,所述钝化层(3)与所述焊盘(2)对应的位置处形成有开口,所述开口用于暴露所述焊盘(2);

第一导电凸块(5),位于所述开口内,所述第一导电凸块(5)用于填充所述开口;

第二导电凸块(6),位于所述第一导电凸块(5)的上方,所述第二导电凸块(6)与所述第一导电凸块(5)电连接,所述第二导电凸块(6)用于实现与外部的电连接。

2.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,沿所述开口的深度方向,所述开口远离所述晶圆(1)的一端的截面面积小于靠近所述晶圆(1)的一端的截面面积。

3.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述开口的内侧壁具有斜坡面。

4.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述开口的直径为25-40um,所述开口的深度为40-60um。

5.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述第一导电凸块(5)和所述第二导电凸块(6)均通过电化学沉积的方式形成。

6.根据权利要求5所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,形成所述第一导电凸块(5)的沉积速率小于形成所述第二导电凸块(6)的沉积速率。

7.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述第一导电凸块(5)和所述第二导电凸块(6)均通过印刷的方式形成。

8.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述第一导电凸块(5)为单一结构或者多层结构,所述第二导电凸块(6)为单一结构或者多层结构。

9.根据权利要求1所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,还包括第一金属层(4),所述第一金属层(4)位于所述开口内,且位于所述第一导电凸块(5)的下方,所述第一金属层(4)与所述焊盘(2)电连接。

10.根据权利要求9所述的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述第一金属层(4)为单一结构或者多层结构,所述第一金属层(4)的成分为单一金属或者金属合金,所述第一金属层(4)的高度为0.2-1um。

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