[实用新型]一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构有效
申请号: | 202021144752.2 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN212783437U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 方梁洪;彭祎;任超;李春阳;刘凤;刘明明 | 申请(专利权)人: | 宁波芯健半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消除 电镀 空洞 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。本实用新型的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,包括:晶圆,晶圆的表面具有焊盘;钝化层,设于晶圆有焊盘一侧的表面上方及焊盘的表面上方,钝化层与焊盘对应的位置处形成有用于暴露焊盘的开口;第一导电凸块,位于开口内,第一导电凸块用于填充开口;第二导电凸块,位于第一导电凸块的上方且与第一导电凸块电连接,第二导电凸块用于实现与外部的电连接。本实用新型通过第一导电凸块填充不规则开口,再进行电镀形成第二导电凸块,能够有效地消除在不规则开口内电镀产生的电镀空洞,解决了现有技术中电镀后凸块呈现电镀空洞的问题,提高了芯片封装产品的质量。
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构。
背景技术
电子封装的发展趋势是体积更小、重量更轻,倒装芯片技术正是为了顺应这一发展趋势而产生的。与传统的引线连接和载带连接相比,倒装芯片技术具有封装密度高、电和热性能优良、可靠性好、成本低等优势。倒装芯片技术是将芯片直接倒扣在基板上,基板和芯片的焊盘成镜像对称,实现电气和机械连接,有时还包括热连接等,因此凸块制程是一个关键工序。
现有技术中,有些晶圆本身的钝化层开口较为特殊,例如开口形状往往不是规则的圆形或者矩形,或者开口侧面形貌也呈现出不规则的情况,或者侧面形貌有坡度或者有弯曲,这给后续电镀工艺带来了极大的困难,极易出点电镀后凸块呈现出大量空洞的情况,参阅图1,其中,(a)表示芯片封装结构的结构示意图,(b)表示凸块位置对应的显微镜照片,从显微镜照片可明显观察到电镀空洞,从而大大影响了芯片封装结构产品的性能。
因此,有必要提出一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,以解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,通过形成第一导电凸块填充开口,以消除在不规则的开口内电镀产生的电镀空洞,提高晶圆级芯片封装结构产品的封装质量。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
本实用新型提供一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构,所述晶圆级芯片封装结构适用于具有不规则形状的钝化层开口的晶圆,包括:
晶圆,所述晶圆的表面具有焊盘;
钝化层,所述钝化层设于所述晶圆有焊盘一侧的表面上方及所述焊盘的表面上方,所述钝化层与所述焊盘对应的位置处形成有开口,所述开口用于暴露所述焊盘;
第一导电凸块,位于所述开口内,所述第一导电凸块用于填充所述开口;
第二导电凸块,位于所述第一导电凸块的上方,所述第二导电凸块与所述第一导电凸块电连接,所述第二导电凸块用于实现与外部的电连接。
进一步地,沿所述开口的深度方向,所述开口远离所述晶圆的一端的截面面积小于靠近所述晶圆的一端的截面面积。
进一步地,所述开口的内侧壁具有不规则形貌。
进一步地,所述开口的直径为25-40um,所述开口的深度为40-60um。
进一步地,所述第一导电凸块和所述导电第二凸块均通过电化学沉积的方式形成。
进一步地,形成所述第一导电凸块的沉积速率小于形成所述第二导电凸块的沉积速率。
进一步地,所述第一导电凸块和所述第二导电凸块均通过印刷的方式形成。
进一步地,所述第一导电凸块为单一结构或者多层结构,所述第二导电凸块为单一结构或者多层结构。
进一步地,还包括第一金属层,所述第一金属层位于所述开口内,且位于所述第一导电凸块的下方,所述第一金属层与所述焊盘电连接。
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