[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道、以及位于所述衬底表面的第一端，所述第一端用于与第一类型存储单元连接；第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道、以及位于所述衬底表面的第二端，所述第二端用于与第二类型存储单元连接，所述第二沟道的宽度大于所述第一沟道的宽度。本发明能够将所述第一晶体管的制造工艺与所述第二晶体管的制造工艺兼容，简化了半导体结构的制造方法。并且，有助于提高存储器中具有所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的存储单元的集成密度，并缩小存储单元的尺寸，为扩展存储器的应用领域奠定了基础。