[发明专利]共源共栅半导体装置和制造方法在审
| 申请号： | 202011589335.3 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN113496977A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 里卡多·杨多克;罗伯特·蒙哥马利;亚当·罗西略 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;顾丽波 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及共源共栅HEMT半导体装置，包括：引线框；晶片焊盘，其附着到引线框；HEMT晶片，其附着到晶片焊盘，HEMT晶片包括第一侧上的HEMT源极和HEMT漏极、第二侧上的HEMT栅极，其中，该装置还包括MOSFET晶片，该MOSFET晶片附着到HEMT晶片的源极，MOSFET晶片包括MOSFET源极、MOSFET栅极和MOSFET漏极，其中，MOSFET漏极连接到HEMT源极，其中，MOSFET源极包括MOSFET源极夹片，其中，MOSFET源极夹片包括柱状件以将MOSFET源极连接到HEMT栅极，其中，通过导电材料来建立MOSFET源极到HEMT栅极的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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