[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011478647.7 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113380758A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 北村政幸;加藤敦史;松田浩亮 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备配线，所述配线包含第1层和设置在所述第1层上且含有铜的第2层。所述装置还具备插塞，所述插塞设置在所述配线上，且包含含有钛及氮的第3层和设置在所述第3层上且含有钨的第4层。进而，所述第3层内的氯浓度为5.0×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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