[发明专利]一种用于碳化硅预对准晶圆及制备方法在审
| 申请号： | 202011358083.3 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490217A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾;孙军;张振中;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于碳化硅预对准晶圆的制备方法，通过在碳化硅晶圆的正面形成非透光层，并使用带有压环结构的刻蚀设备在所述碳化硅晶圆的正面进行预对准；然后通过所述刻蚀设备对所述碳化硅晶圆中间区域的非透光层进行干法刻蚀，以露出所述碳化硅晶圆的正面，并保留所述碳化硅晶圆的边缘处的非透光层，以形成用于碳化硅晶圆预对准的屏蔽结构。本发明还提供了一种用于碳化硅预对准晶圆。如此，可使得碳化硅晶圆在后续加工时可顺利采用传统的激光对射技术，且在晶圆边缘能形成规则的屏蔽结构，不影响晶圆平整度，从而实现碳化硅晶圆预对准的目的，工艺简单且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 对准 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳基本半导体有限公司，未经深圳基本半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011358083.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
