[发明专利]后端工序中光刻对准图形的形成方法在审
| 申请号： | 202011295925.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420672A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张超逸;梁金娥;冯秦旭;郭莉莉;吴建荣 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种后端工序中光刻对准图形的形成方法，包括：通过CMP工艺对进行平坦化处理，去除预定深度的金属层，金属层形成于阻挡层上，阻挡层形成于介质层和沟槽的表面，介质层形成于衬底上，沟槽形成于介质层中，沟槽与光刻工艺中的对准图形相对应；通过去胶机进行灰化处理以去除平坦化处理过程中产生的副产物；进行刻蚀，去除沟槽外的介质层和阻挡层。本申请提供的方法中由于CMP工艺中的副产物被灰化去除，因此解决了相关技术中由于在沟槽中存在反应副产物从而影响后续光刻工艺的问题，提高了后端工序中的光刻对准度。 | ||
| 搜索关键词： | 后端 工序 光刻 对准 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
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