[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011289258.X | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114512453A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;苏柏青;亚伯拉罕·庾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；沟道结构，分立于器件区的衬底上；电源轨道线，位于电源轨道区的衬底中；栅极结构，横跨沟道结构；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道结构中；层间介质层，位于栅极结构的侧部；电源轨接触插塞，贯穿电源轨道线顶部的部分厚度层间介质层，沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触；源漏接触层，位于层间介质层中且与源漏掺杂区相接触，在与衬底平行的投影面上源漏接触层横跨电源轨道线。沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触，增大了电源轨接触插塞沿纵向的尺寸、以及电源轨接触插塞与电源轨道线的接触面积，有利于减小电源轨接触插塞的电阻以及与电源轨道线的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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