[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011136670.8 申请日: 2020-10-22
公开(公告)号: CN112750796A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 塚田太;羽岛行范;泽村芳行 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 韩香花;崔成哲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括:引线框架,其由金属构成;布线基板,其与上述引线框架相向;电子部件,其配置在上述引线框架与上述布线基板之间;连接部件,其将上述引线框架与上述布线基板连接;以及密封树脂,其填充在上述引线框架与上述布线基板之间,并包覆上述电子部件及上述连接部件,上述引线框架具有:第1面,其与上述布线基板相向,并由上述密封树脂包覆;第2面,其位于上述第1面的背面侧,并从上述密封树脂露出;以及侧面,其与上述第1面或上述第2面相邻,至少一部分从上述密封树脂露出。本发明可提高散热效率。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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