[发明专利]导体绝缘体半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010951137.0 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112151617A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | A·M·欧若拉 | 申请（专利权）人： | 海伯利安半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/808;H01L29/36;H01L29/10;H01L29/06;H01L27/12;H01L27/098;H01L27/092;H01L27/02;H03K19/00;H03K19/003;H03K19/0185;H03K19/094;H |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体逻辑元件，其包含具有第一导电性类型的场效应晶体管及具有第二导电性类型的场效应晶体管。该第一FET的栅极为该半导体逻辑元件的输入端，该第二FET的漏极称为该半导体逻辑元件的输出端，且该第二FET的源极为该半导体逻辑元件的源极。通过将适用电位施加至该等场效应晶体管的端子，有可能影响该逻辑元件之该输出端的状态。本发明亦涉及包含所描述逻辑元件的不同种类的逻辑电路。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 绝缘体 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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