[发明专利]导体绝缘体半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010951137.0 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112151617A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | A·M·欧若拉 | 申请（专利权）人： | 海伯利安半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/808;H01L29/36;H01L29/10;H01L29/06;H01L27/12;H01L27/098;H01L27/092;H01L27/02;H03K19/00;H03K19/003;H03K19/0185;H03K19/094;H |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导体 绝缘体 半导体 场效应 晶体管 | ||
1.一种掩埋的沟道导体绝缘体半导体场效应晶体管，包括：
-第一导电类型半导体材料的源极，
-第一导电类型半导体材料的漏极，
-外部栅极，位于所述源极和所述漏极之间，
-第一导电类型半导体材料的沟道，位于所述源极和所述漏极之间，
-绝缘材料层，位于所述外部栅极和所述沟道之间，以及
-第二导电类型半导体材料的背栅掺杂部，邻近所述沟道，位于与所述外部栅极相对的一侧上；
-所述背栅掺杂部对应于栅极，
-所述外部栅极对应于辅助栅极，
-所述源极可偏压于源极电位，
-所述栅极可偏压于第一逻辑电位或第二逻辑电位，
所述掩埋的沟道导体绝缘体半导体场效应晶体管被配置为：
-当所述背栅掺杂部被偏压于所述第一逻辑电位时，所述沟道导电，
-当所述背栅掺杂部被偏压于所述第二逻辑电位时，所述沟道不导电，并且
-所述外部栅极被配置为被偏压，以便在所述外部栅极下方的绝缘体半导体界面处建立可移动的第二导电类型电荷载流子层，而不管所述背栅掺杂部是被偏压于所述第一逻辑电位还是所述第二逻辑电位，以及所述可移动的第二导电类型电荷载流子层被布置为充当所述栅极的一部分，并且被布置为从与所述第二导电类型的背栅掺杂部相对的一侧控制所述沟道。
2.根据权利要求1所述的掩埋的沟道导体绝缘体半导体场效应晶体管，其中所述掩埋的沟道导体绝缘体半导体场效应晶体管还包括：绝缘材料，被配置为封装所述源极、所述漏极、所述沟道和所述背栅掺杂部。
3.根据权利要求1所述的掩埋的沟道导体绝缘体半导体场效应晶体管，其中所述源极、所述漏极、所述沟道位于第二导电类型半导体材料的阱中，所述阱对应于所述背栅掺杂部，并且所述背栅掺杂部位于第一导电类型半导体材料的阱中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海伯利安半导体公司，未经海伯利安半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010951137.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
