[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010914382.4 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111883520B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/52;H01L23/488;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杜娟;骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供第一结构和第二结构，第一结构上形成有第一键合层，第一键合层包括暴露于第一键合层上表面的第一导电部位，第二结构上形成有第二键合层，第二键合层包括暴露于第二键合层上表面的第二导电部位；在第一导电部位上形成第一导电凸点，和/或，在第二导电部位上形成第二导电凸点；以及键合第一结构和第二结构，使第一键合层的上表面和第二键合层的上表面相互接触并使第一导电部位对准第二导电部位。本发明可以克服晶圆间键合面不平整的问题，兼具了混合键合和2.5D封装中硅通孔互连技术的优点，有利于进一步提高半导体器件的集成度，改善半导体器件的性能，并简化工艺，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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