[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010876670.5 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114121810A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 卢经文;朱柄宇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括导电结构，所述导电结构的制备方法包括如下步骤：形成半导体导电层；在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层；在所述腈或异腈过渡层上形成金属导电层。本发明的优点在于，导电结构由半导体导电层、腈或异腈过渡层及金属导电层组成，半导体导电层与金属导电层之间通过所述腈或异腈过渡层连接，相较于现有的半导体导电层与金属导电层直接接触而言，降低了半导体导电层与金属导电层之间的电阻，提高了导电结构的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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