[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括导电结构，

所述导电结构的制备方法包括如下步骤：

形成半导体导电层；

在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层；

在所述腈或异腈过渡层上形成金属导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述腈或异腈过渡层上形成金属导电层的步骤之后还包括如下步骤：在所述金属导电层上形成钝化层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体导电层形成在半导体衬底上，在所述金属导电层上形成钝化层的步骤之后还包括如下步骤：图形化所述钝化层、金属导电层、腈或异腈过渡层及半导体导电层，形成多个位于半导体衬底上的分立的位线结构。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤：在所述位线结构的侧壁形成保护层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，提供半导体基底，所述半导体基底上设置多个电容接触孔，在所述电容接触孔中形成所述半导体导电层。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层的方法是，采用腈或异腈有机溶液处理所述半导体导电层表面，形成所述腈或异腈过渡层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，腈或异腈有机溶液中腈或异腈的浓度为5％～10％。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层的步骤之后还包括冲洗步骤。

9.根据权利要求1～5任意一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体导电层为多晶硅层，所述金属导电层包括依次形成的Ti与TiN复合层及金属钨层。

10.根据权利要求9所述的导电结构的制备方法，其特征在于，在形成Ti与TiN复合层之后，在形成金属钨层之前，还包括快速热处理步骤。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括导电结构，所述导电结构包括依次堆叠设置的半导体导电层、腈或异腈过渡层及金属导电层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底及多个分立设于所述半导体衬底上的位线结构，多个隔离结构沿垂直所述位线结构的方向设置，所述隔离结构与所述位线结构围成多个电容接触孔。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构包括所述导电结构及覆盖所述导电结构的钝化层。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在所述位线结构的侧壁设置有保护层。

15.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在每一所述电容接触孔中设置有所述导电结构。