[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括导电结构，所述导电结构的制备方法包括如下步骤：形成半导体导电层；在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层；在所述腈或异腈过渡层上形成金属导电层。本发明的优点在于，导电结构由半导体导电层、腈或异腈过渡层及金属导电层组成，半导体导电层与金属导电层之间通过所述腈或异腈过渡层连接，相较于现有的半导体导电层与金属导电层直接接触而言，降低了半导体导电层与金属导电层之间的电阻，提高了导电结构的导电性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线结构相连、漏极或源极其中之一与位线结构相连、漏极或源极其中之一与电容器相连，字线结构上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。

位线结构与DRAM的晶体管的漏极或源极之间，或者电容器与DRAM的晶体管的漏极或源极之间的导电连接方法为通过多晶硅-金属插栓连接，当制程微缩时，多晶硅-金属插栓的尺寸也随之微缩，则多晶硅与金属之间的接触电阻成为影响半导体结构的电学性能的重要因素。

因此，如何降低多晶硅与金属之间的接触电阻成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其制备方法，其能够降低半导体导电层与金属导电层之间的接触电阻，提高半导体结构的导电性能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构包括导电结构，所述导电结构的制备方法包括如下步骤：形成半导体导电层；在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层；在所述腈或异腈过渡层上形成金属导电层。

进一步，在所述腈或异腈过渡层上形成金属导电层的步骤之后还包括如下步骤：在所述金属导电层上形成钝化层。

进一步，所述半导体导电层形成在半导体衬底上，在所述金属导电层上形成钝化层的步骤之后还包括如下步骤：图形化所述钝化层、金属导电层、腈或异腈过渡层及半导体导电层，形成多个位于半导体衬底上的分立的位线结构。

进一步，进一步包括步骤：在所述位线结构的侧壁形成保护层。

进一步，提供半导体基底，所述半导体基底上设置多个电容接触孔，在所述电容接触孔中形成所述半导体导电层。

进一步，在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层的方法是，采用腈或异腈有机溶液处理所述半导体导电层表面，形成所述腈或异腈过渡层。

进一步，腈或异腈有机溶液中腈或异腈的浓度为5％～10％。

进一步，在所述半导体导电层上形成腈或异腈过渡层的步骤之后还包括冲洗步骤。

进一步，所述半导体导电层为多晶硅层，所述金属导电层包括依次形成的Ti与TiN复合层及金属钨层。

进一步，在形成Ti与TiN复合层之后，在形成金属钨层之前，还包括快速热处理步骤。

本发明还提供一种半导体结构，其包括导电结构，所述导电结构包括依次堆叠设置的半导体导电层、腈或异腈过渡层及金属导电层。

进一步，所述半导体结构还包括半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底及多个分立设于所述半导体衬底上的位线结构，多个隔离结构沿垂直所述位线结构的方向设置，所述隔离结构与所述位线结构围成多个电容接触孔。

进一步，所述位线结构包括所述导电结构及覆盖所述导电结构的钝化层。